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【24h】

Enhanced carrier transport in tris(8-hydroxyquinolinate) aluminum by titanyl phthalocyanine doping

机译：钛氧基酞菁掺杂增强三（8-羟基喹啉）铝中载流子的传输

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The effect of doping titanyl phthalocyanine (TiOPc) into tris(8-hydroxyquinolinate) aluminum (Alq(3)) (Alq(3):T; where T represents TiOPc), used as an electron transport layer (ETL) for organic light emitting diodes (OLEDs), was investigated. The surface roughness of the doped thin films increases with the doping concentration as a result of a needle like 3D growth of TiOPc in Alq(3). The electron mobility depends on the doping concentration. The electron mobility calculated in the trap-free space-charge limited region (SCLC) for a 2% doped Alq(3) thin film was found to be 0.17 x 10(-5) cm(2) V-1 s(-1) which is four orders of magnitude greater than that for pristine Alq3. The electroluminescence at a constant current density of 10 mA cm(-2) is 3098, 4700, 7800, 3600 and 520 cd m(-2) for Alq(3) to Alq(3):T(1%, 2%, 3% and 5%) devices, respectively. Similarly the power efficiency at a constant current density of 10 mA cm(-2) is 2.1, 2.7, 4.2, 1.3 and 0.48 lm W-1 for the different doped devices Alq(3) to Alq(3):T(1%, 2%, 3% and 5%), respectively. The OLEDs based on the optimized 2% doped TiOPc in Alq(3) show a four times increase in the electroluminescence as well as an almost doubling of the power efficiency. There are interfacial charges near the doped layer. The Cole-Cole plot indicates the device can be modeled as the combination of three parallel resistance-capacitance (R-C) equivalent circuits.
机译：将钛氧烷基酞菁（TiOPc）掺杂到三（8-羟基喹啉）铝（Alq（3））（Alq（3）：T;其中T代表TiOPc）中，用作有机发光的电子传输层（ETL）研究了二极管（OLED）。掺杂薄膜的表面粗糙度随Alq（3）中TiOPc的针状3D生长而随掺杂浓度的增加而增加。电子迁移率取决于掺杂浓度。发现在2％掺杂的Alq（3）薄膜的无陷阱空间电荷限制区域（SCLC）中计算出的电子迁移率是0.17 x 10（-5）cm（2）V-1 s（-1） ），比原始Alq3高四个数量级。对于Alq（3）到Alq（3）：T（1％，2％，10mA cm（-2）恒定电流密度的电致发光分别为3098、4700、7800、3600和520 cd m（-2） 3％和5％）的设备。同样，对于不同的掺杂器件Alq（3）至Alq（3）：T（1％），在10 mA cm（-2）恒定电流密度下的功率效率分别为2.1、2.7、4.2、1.3和0.48 lm W-1。 ，2％，3％和5％）。基于Alq（3）中优化的2％掺杂TiOPc的OLED的电致发光增加了四倍，功率效率几乎提高了一倍。掺杂层附近存在界面电荷。 Cole-Cole曲线表示该器件可以建模为三个并联的电阻-电容（R-C）等效电路的组合。

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