Analytical description of spectral hole-burning effects in active semiconductors

Salvador Balle

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Analytical description of spectral hole-burning effects in active semiconductors

机译：有源半导体中光谱空穴燃烧效应的分析描述

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An analytical description of the effects of spectral hole burning on the optical properties of active semiconductor materials is developed for fields that are slow compared to intraband relaxation times. Nonlinear gain compression and four-wave mixing effects are discussed.

机译：针对与带内弛豫时间相比较慢的场，开发了对光谱空穴燃烧对有源半导体材料的光学特性影响的分析描述。讨论了非线性增益压缩和四波混频效应。

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来源
《Optics Letters》 |2002年第21期|共3页
作者
Salvador Balle;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类光学;
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