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Passively Q-switched 1.34-mu m Nd:YVO4 microchip laser with semiconductor saturable-absorber mirrors

机译:带有半导体饱和吸收镜的无源调Q 1.34微米Nd:YVO4微芯片激光器

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摘要

We demonstrate a passively Q-switched diode-pumped 1.34-mu m Nd:YVO4 microchip laser. frequency, 230-ps pulses by using an InGaAsP semiconductor saturable-absorber mirror. pulse width and the repetition rate from 230 ps to 12 ns and from 30 kHz to 4 MHz, respectively, by changing the design parameters of the saturable absorber, the thickness of the crystal, and the pump power. (C) 1997 Optical Society of America.
机译:我们演示了无源调Q二极管泵浦的1.34微米Nd:YVO4微芯片激光器。通过使用InGaAsP半导体饱和吸收镜实现230 ps频率的脉冲。通过更改可饱和吸收器的设计参数,晶体厚度和泵浦功率,可分别从230 ps到12 ns和从30 kHz到4 MHz的脉冲宽度和重复率。 (C)1997年美国眼镜学会。

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