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【24h】

Room-temperature silicon band-edge photoluminescence enhanced by spin-coated sol-gel films

机译：旋涂溶胶-凝胶膜增强室温硅带边光致发光

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Photoluminescence is observed at room temperature from phonon-assisted band-to-band emission in Si (1.067 eV peak) using unpatterned bulk p-type silicon wafer samples that were spin-coated with Er-doped (6 at.%) silica-gel films (0.13 urn) and vacuum annealed;;the strongest emission was obtained at ~700 °C. Comparative study of anneahng behavior indicates an efficiency enhancement of two orders of magnitude. Emission from Er~(3+) ions in the silica film is used to gauge relative emission strengths. Mechanisms for inducing emission from silicon utilizing stresses in sol-gel films are discussed.
机译：在室温下，通过使用掺有Er掺杂（6 at。％）硅胶的无图案块状p型硅晶片样品，在硅中声子辅助的带间发射（1.067 eV峰）观察到光致发光。膜（0.13 n）并真空退火;;在〜700°C时获得最强的发射。退火行为的比较研究表明效率提高了两个数量级。二氧化硅膜中Er〜（3+）离子的发射用于测量相对发射强度。讨论了利用溶胶-凝胶薄膜中的应力诱导硅发射的机理。

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