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Formation mechanism of contact resistance to III-N heterostructures with a high dislocation density

机译：高位错密度的III-N异质结构的接触电阻形成机理

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The temperature dependences of the contact resistance ρ_c(T) of ohmic Pd-Ti-Pd-Au contacts to n-GaN and n-AlN wide-gap semiconductors with a high dislocation density are studied. The dependences ρ_c(T) for both contacts contain portions of exponential decrease ρ_c(T) and very weak dependence ρ_c(T) at higher temperatures. Furthermore, a plateau portion ρ_c(T) is observed in the low-temperature region for the Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN contact. This portion appears only after rapid thermal annealing (RTA). In principle, the appearance of the plateau portion can be associated with preliminary heavy doping of the near-contact region with a shallow donor impurity and with doping during contact fabrication as a result of RTA, if the contact-forming layer contains a material that is a shallow donor in III-N. The dependences obtained are not explained by existing charge-transport mechanisms. Probable mechanisms explaining the experimental dependences ρ_c(T) for ohmic contacts to n-GaN and n-AlN are proposed.
机译：研究了欧姆Pd-Ti-Pd-Au触点与高位错密度的n-GaN和n-AlN宽禁带半导体的接触电阻ρ_c（T）的温度依赖性。两个触点的相关性ρ_c（T）包含部分指数递减ρ_c（T）和在较高温度下非常弱的相关性ρ_c（T）。此外，对于Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN接触，在低温区域观察到平台部分ρ_c（T）。此部分仅在快速热退火（RTA）之后出现。原则上，如果接触形成层包含以下材料，则平台部分的出现可能与使用浅施主杂质的近接触区的初步重掺杂以及RTA在接触制造过程中的掺杂相关。 III-N中的浅层供体。现有的电荷传输机制未解释所获得的依赖性。提出了解释与n-GaN和n-AlN欧姆接触的实验依赖性ρ_c（T）的可能机理。

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