...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Philosophical Magazine Letters >Electron irradiation damage in SnO
【24h】

Electron irradiation damage in SnO

机译：SnO中的电子辐照损伤

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

In a study of radiation effects in SnO we have found that electron-beam damage is observable from changes in a high-resolution electron microscopy image or electron diffraction pattern. The early stage of the damage is not accompanied by a change in composition or a loss of crystallinity. The dose required for this damage (about 600 C cm~(-2)) is approximately independent of electron energy (between 100 and 400 keV) and specimen temperature (between 100 and 300 K). The damage is believed to start with displacement of oxygen atoms from their lattice position through a radiolytic mechanism with an efficiency of approximately 10~(-4).
机译：在对SnO中辐射效应的研究中，我们发现可以从高分辨率电子显微镜图像或电子衍射图样的变化中观察到电子束损坏。损伤的早期不伴随有组成的改变或结晶度的损失。破坏所需的剂量（约600 C cm〜（-2））大约与电子能量（100至400 keV之间）和样品温度（100至300 K之间）无关。据信这种破坏始于氧原子通过辐射分解机理从其晶格位置的位移，其效率约为10-（-4）。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号