A new model for the (2 * 1) reconstructed CoSi_2-Si(100) interface

V. Buschmann; L. Fedina; M. Rodewald; G. Van Tendeloo

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A new model for the (2 * 1) reconstructed CoSi_2-Si(100) interface

机译：（2 * 1）重构的CoSi_2-Si（100）界面的新模型

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A new model is presented for the (2 * 1) reconstructed CoSi_2-Si(100) interface, derived from high-resolution electron microscopy observations, based on the Si point-defect behaviour during film growth and the structural stability of extended defects along the <011> direction in diamond-type materials. The model, consisting of an alternating array of double five-membered and single eight-membered rings, is realized through the migration of Si self-interstitials towards the interface, thereby creating <100> split interstitials.

机译：提出了一种新的模型（2 * 1）的重建CoSi_2-Si（100）界面，该模型是基于薄膜生长过程中的Si点缺陷行为和沿薄膜的扩展缺陷的结构稳定性的基础上，从高分辨电子显微镜观察得出的。钻石型材料中的<011>方向。该模型由双五元环和单八元环的交替阵列组成，是通过Si自填隙缝向界面的迁移实现的，从而创建了<100>个分裂填隙缝。

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来源
《Philosophical Magazine Letters》 |1998年第3期|共5页
作者
V. Buschmann; L. Fedina; M. Rodewald; G. Van Tendeloo;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类物理学;
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