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首页> 外文期刊>Physica Scripta: An International Journal for Experimental and Theoretical Physics >Solid-state ZnS quantum dot-sensitized solar cell fabricated by the Dip-SILAR technique
【24h】

Solid-state ZnS quantum dot-sensitized solar cell fabricated by the Dip-SILAR technique

机译：Dip-SILAR技术制造的固态ZnS量子点敏化太阳能电池

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Solid-state quantum dot sensitized solar cells (QDSSCs) were fabricated with zinc sulfide quantum dots (ZnS QDs), which served as the light absorber and the recombination blocking layer simultaneously. ZnS QDs were prepared successfully by a novel successive ionic layer adsorption and reaction technique based on dip-coating (Dip-SILAR). The dependences of the photovoltaic parameters on the number of SILAR cycles (n) were investigated. The cell with n = 6 (particle average size ～9 nm) showed an energy conversion efficiency of 2.72% under the illumination of one sun (AM 1.5, 100mWcm~(?2)). Here we investigate also the cohesion between ZnS QDs and ZnO film to obtain a well-covering QD layer.
机译：用硫化锌量子点（ZnS QDs）制备了固态量子点敏化太阳能电池（QDSSC），该硫化锌量子点同时用作吸光剂和复合阻挡层。 ZnS量子点是通过基于浸涂的新型连续离子层吸附和反应技术（Dip-SILAR）成功制备的。研究了光伏参数对SILAR循环数（n）的依赖性。 n = 6（平均粒径约9 nm）的电池在1个太阳（AM 1.5，100mWcm〜（？2））的照射下，能量转换效率为2.72％。在这里，我们还研究了ZnS量子点和ZnO薄膜之间的内聚力，以获得良好覆盖的QD层。

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