Kinetic transport in scaled high electron mobility transistors

Chu AKH.

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Kinetic transport in scaled high electron mobility transistors

机译：缩放高电子迁移率晶体管中的动力学传输

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Quantum discrete kinetic model and diffuse-reflection type boundary conditions are adopted to solve the (ballistic) transport problem of many fermions within a confined slender microdomain. Our preliminary results for gate lengths of 90, 70, and 50 nm resemble those reported by Kalna and Asenov, Semicond. Sci. Technol. 17, 597 (2002). [References: 25]

机译：采用量子离散动力学模型和扩散反射型边界条件，解决了在有限的细长微域内许多费米子的（弹道）传输问题。我们对90、70和50 nm栅极长度的初步结果与Kalcon和Semicond的Asenov报道的结果相似。科学技术。 17，597（2002）。 [参考：25]

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来源
《Physica Scripta: An International Journal for Experimental and Theoretical Physics》 |2004年第3期|共6页
作者
Chu AKH.;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类物理学;
关键词
Boltzmann-equation; Model;

机译：玻尔兹曼方程;模型;

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