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High pressure as a tool to study electron localization

机译：高压作为研究电子定位的工具

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We have used high pressure to investigate resonant tunnelling in a single-barrier, n-i-n GaAs/ A1As/GaAs diode with an embedded layer of InAs self-assembled quantum dots (SAQD). We have obtained convincing evidence for resonant tunnelling through individual Gamma -valley-related electron states that we associate with the SAQD. The tunnel current through a SAQD was used as a local probe of a localized phase of a two-dimensional electron system in the accumulation layer of the diode. We have found evidence that at low densities, the localized electrons form relatively large, high-density clusters. [References: 11]
机译：我们已经使用高压研究了具有InAs自组装量子点（SAQD）嵌入层的单势垒n-i-n GaAs / AlAs / GaAs二极管中的共振隧穿。我们已经获得了令人信服的证据，证明了通过与SAQD相关的单个与伽马-谷相关的电子态的共振隧穿。通过SAQD的隧道电流被用作二极管累积层中二维电子系统局部相的局部探针。我们发现有证据表明，在低密度时，局部电子形成相对较大的高密度簇。 [参考：11]

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