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AFM induced electrostatic charging of nanocrystalline diamond on silicon

机译：AFM诱导硅上的纳米晶金刚石带静电

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A nanocrystalline diamond (NCD) thin film (80 nm) is deposited on a p-type Si substrate and oxygen terminated by r.f. oxygen plasma. An atomic force microscope (AFM) is used to induce electrostatically charged micrometer-sized areas on the diamond film by applying a bias voltage on the AFM tip during contact mode scan. Trapped charge is detected by Kelvin force microscopy showing a potential difference of up to 1.4 V. The potential amplitude and spatial distribution are controlled by the bias voltage applied on the tip (30 V) and scan speed (2–20mm/s). Contribution of diamond bulk and grain boundaries to the charging effects shows no significant variations. We compare the results with the charging of bare Si substrate.
机译：将纳米晶金刚石（NCD）薄膜（80 nm）沉积在p型Si衬底上，并用r.f终止氧。氧等离子体。原子力显微镜（AFM）用于通过在接触模式扫描过程中在AFM尖端上施加偏置电压来在金刚石膜上感应出带静电的微米级区域。通过开尔文力显微镜检测到的陷获电荷显示出高达1.4 V的电势差。电势幅度和空间分布由尖端上施加的偏置电压（30 V）和扫描速度（2-20mm / s）控制。金刚石体积和晶界对带电效应的贡献没有显示出明显的变化。我们将结果与裸硅衬底的充电进行了比较。

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