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Two-dimensional electrons occupying multiple valleys in AlAs

机译：二维电子占据AlAs中的多个谷

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Two-dimensional electrons in A1As quantum wells occupy multiple conduction-band minima at the X-points of the Brillouin zone. These valleys have large effective mass and g-factor compared to the Standard GaAs electrons, and are also highly anisotropic. With proper choice of well width and by applying symmetry-breaking strain in the plane, one can control the occupation of different valleys thus rendering a system with tuneable effective mass, g-factor, Fermi contour anisotropy, and valley degeneracy. Here we review some of the rich physics that this system has allowed us to explore. (c) 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
机译：A1As量子阱中的二维电子在布里渊区的X点处占据多个导带最小值。与标准GaAs电子相比，这些谷具有较大的有效质量和g因子，并且具有高度的各向异性。通过适当选择井宽并在平面上施加对称破坏应变，可以控制不同谷的占用，从而使系统具有可调节的有效质量，g因子，费米轮廓各向异性和谷简并性。在这里，我们回顾了该系统允许我们探索的一些丰富的物理学。 （c）2006威尼海姆威利威世私人有限公司。

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