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具有利用嵌入微电子衬底中的微电子桥连接的多个微电子器件的微电子结构

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摘要

一种微电子结构包括：微电子衬底，其具有第一表面和从微电子衬底第一表面延伸到衬底中的腔；附接至微电子衬底第一表面的第一微电子器件和第二微电子器件；以及设置在微电子衬底腔内且附接至第一微电子器件和第二微电子器件的微电子桥。在一个实施例中，该微电子结构可以包括从第一微电子器件和第二微电子器件形成的重建晶圆。在另一实施例中，助焊剂材料可以在第一微电子器件和微电子桥之间以及在第二微电子器件和微电子桥之间延伸。

著录项

公开/公告号CN108292654A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-17

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN201580084531.6
发明设计人 E.李;T.戈塞林;Y.富田;S.利夫;A.艾坦;M.萨尔塔斯;
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申请日2015-12-11
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人王岳
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 05:57:58

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-01-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L25/065 申请日:20151211

实质审查的生效
2018-07-17

公开

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1. 具有利用嵌入微电子衬底中的微电子桥连接的多个微电子器件的微电子结构 [P] . 中国专利： CN108292654A . 2018-07-17
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