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首页> 外文期刊>Physica status solidi, B. Basic research >Step-like photoluminescence dynamics in field-effect structures containing quantum dots
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Step-like photoluminescence dynamics in field-effect structures containing quantum dots

机译：包含量子点的场效应结构中的阶梯状光致发光动力学

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We present time-resolved photoluminescence investigations of field-effect structures containing quantum dots (QDs). The high electrical field in those devices significantly influences carrier dynamics, Photoluminescence (PL) from the ground state occurs at an energy of 1.35 eV, but after strong excitation the PL band can reach up to 1.5 eV due to state filling. After strong excitation, a few hundred picoseconds of slow PL decay are observed. Then the emission from the QDs performs a step-like quenching. The remaining luminescence has a long lifetime (about 1 ns) and its maximum occurs at about 1.35 eV. Numerical calculations suggest that the step-like PL quenching is caused by a decay of screening of the electrical field in the region with QDs. [References: 16]
机译：我们目前时间分辨光致发光研究包含量子点（QDs）的场效应结构。这些器件中的高电场显着影响载流子动力学，基态的光致发光（PL）以1.35 eV的能量发生，但是在强激发后，由于状态填充，PL波段可以达到1.5 eV。在强激发之后，观察到数百皮秒的缓慢PL衰减。然后，来自量子点的发射会执行一个阶梯状的猝灭。剩余的发光寿命长（约1 ns），最大值出现在约1.35 eV。数值计算表明，阶梯状PL猝灭是由具有QD的区域中电场屏蔽的衰减引起的。 [参考：16]

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