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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Structural changes at a T-d impurity induced by intra-photoexcitation and carrier capture
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Structural changes at a T-d impurity induced by intra-photoexcitation and carrier capture

机译：内部光激发和载流子俘获引起的T-d杂质的结构变化

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We study theoretically how the stable structure of Td impurities in covalent semiconductors is changed by two types of electronic excitation: intra-photoexcitation and carrier capture. The Td T-U-S model is used, which is tetrahedrally constructed from four sites representing four antibonding (or bonding) orbitals for a substitutional donor (acceptor) impurity in the diamond and zincblende structures. It is shown that the character of the stable structure is either T-d, C-3v, Q(2v), C-s or C depending on the ratio of parameters (T, U, S), the electron occupation number n (hence on the charge state), the total spin and the total electronic state. Structural changes and the relaxation dynamics of DX-center in AlxGa1-xAs and EL2-center in GaAs are discussed with the obtained adiabatic potential surfaces and the phase diagrams. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved. [References: 5]
机译：我们从理论上研究了共价半导体中Td杂质的稳定结构如何通过两种电子激发方式改变：内部光激发和载流子捕获。使用Td T-U-S模型，该模型是从四个位置四面体构造而成的，四个位置代表金刚石和闪锌矿结构中取代供体（受体）杂质的四个反键（或键）轨道。结果表明，稳定结构的特征为Td，C-3v，Q（2v），Cs或C，具体取决于参数比（T，U，S），电子占有数n（因此在电荷上状态），总自旋和总电子状态。利用获得的绝热势面和相图，讨论了AlxGa1-xAs中DX中心和GaAs中EL2中心的结构变化和弛豫动力学。 （C）2003 Elsevier B.V.保留所有权利。 [参考：5]

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