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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Perpendicular and parallel magnetic field transport measurements in gated InAs/GaSb DHETs
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Perpendicular and parallel magnetic field transport measurements in gated InAs/GaSb DHETs

机译：门控InAs / GaSb DHET中的垂直和平行磁场传输测量

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We have performed a magnetotransport study in both perpendicular and parallel magnetic fields for gated InAs/GaSb double heterostructures. These measurements provide a further proof for the existence of a minigap at the anti-crossing point between the electron and hole dispersion relations in this system. When a parallel magnetic field is increased from 0 to 12 T, the resistivity drops by 60% when the Fermi energy is in the middle of the minigap, but by less ;than 3% when the Fermi energy is positioned outside the minigap. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 10]
机译：我们已经在垂直和平行磁场中对门InAs / GaSb双异质结构进行了磁传输研究。这些测量为该系统中电子与空穴扩散关系之间的反交叉点处存在最小间隙提供了进一步的证据。当平行磁场从0 T增加到12 T时，费米能量在微隙中间时电阻率下降60％，但当费米能量位于微隙之外时电阻率下降不到3％。 （C）1998 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：10]

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