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【24h】

A new type of quantized Hall effect in layered semiconductors Bi2-xSnxTe3 and Sb2-xSnxTe3

机译:层状半导体Bi2-xSnxTe3和Sb2-xSnxTe3中的新型量化霍尔效应

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摘要

We have measured magnetotransports for layered semiconductors Bi2-xSnxTe3 and Sb2-xSnxTe3 at low temperature in magnetic fields up to 55T. Both crystals show clear Hall plateaus near the corresponding resistivity minima. Based on the existing band model, we propose a possible mechanism for Hall oscillation in these three-dimensional systems, in which Sn-originated resonant impurity band or lower valence band plays a crucial role. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 6]
机译:我们已经在高达55T的磁场中在低温下测量了Bi2-xSnxTe3和Sb2-xSnxTe3层状半导体的磁传输。两种晶体在相应的电阻率最小值附近均显示出清晰的霍尔高原。在现有的能带模型的基础上,我们提出了一种可能的机制,在这些三维系统中,Sn起源的共振杂质带或较低价带在其中起着至关重要的作用。 (C)2001 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考:6]

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