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Impact ionization and high-field effects in wide-band-gap semiconductors

机译：宽带隙半导体中的碰撞电离和高场效应

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Impact ionization is important for electron transport in wide-band-gap semiconductors at high electric fields. We consider a realistic band structure as well as high-field quantum corrections such as the intracollisional field effect in the calculation of the microscopic scattering rate. A pronounced softening of the impact ionization threshold is obtained. This field-dependent impact ionization rate is included within a full-band ensemble Monte Carlo simulation of high-field transport in ZnS. Although the impact ionization rate itself is strongly affected, little effect is observed on measurable quantities such as the impact ionization coefficient. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 12]
机译：碰撞电离对于高电场下宽带隙半导体中的电子传输非常重要。我们在计算微观散射率时考虑了现实的能带结构以及高场量子校正，例如碰撞内场效应。获得了碰撞电离阈值的明显软化。这种依赖于场的碰撞电离率包括在ZnS高场传输的全频带集成Monte Carlo模拟中。尽管冲击电离速率本身受到很大影响，但对可测量量（如冲击电离系数）的影响很小。 （C）2002 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：12]

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