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Negative-U properties for a quantum dot

机译：量子点的负U性质

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We present the first findings of the quantum dot that exhibits the negative-U properties caused by a net attraction between the Coulombically repulsive carriers. Therefore, the finite number of electrons (or holes) inside the dot is partitioned into pairs with the second bound more strongly than the first. The negative-U properties for a quantum dot appear to result from twice the amplitude of the Coulombic oscillations with negative (or positive) variations in the sign of the gate voltage. This identification is made possible in the studies of the resonant tunnelling through the quantum dot strongly coupled to the quantum wire that is prepared by the split-gate method inside the silicon quantum well divided by the ferroelectric delta-barriers on the Si(I 0 0) surface. The negative-U double quantum dot is found to exhibit the room-temperature operation of single-hole memory such as the hysteresis in the current-voltage characteristics revealed by varying the gate voltage. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved. [References: 5]
机译：我们介绍了量子点的第一个发现，该量子点显示出由库仑排斥性载流子之间的净吸引引起的负U特性。因此，点内有限数量的电子（或空穴）被分成两对，其第二键比第一键更牢固。量子点的负U特性似乎是由于库仑振荡幅度加倍而引起的，栅极电压的符号有负（或正）变化。在通过强耦合到量子线的量子点的共振隧穿的研究中，这种识别成为可能，该量子点是通过在Si量子阱内被Si（I 0 0）划分的铁电德尔塔势垒在硅量子阱内通过分裂栅方法制备的。 ）表面。发现负U双量子点表现出单孔存储器的室温操作，例如通过改变栅极电压揭示的电流-电压特性中的滞后现象。 （C）2003 Elsevier B.V.保留所有权利。 [参考：5]

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