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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >2D transport at the surface of a 3D quantum Hall system
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2D transport at the surface of a 3D quantum Hall system

机译：3D量子霍尔系统表面的2D传输

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We have made electronic transport studies of the integer quantum Hall effect in a three-dimensional, layered semiconductor structure. When in-plane transport is quantized, the dependence of the vertical conductance G(zz) on device size shows that current Bows via extended surface states, which form from the coupled edge states in each layer. As the temperature rises, bulk transport begins to dominate G(zz), giving roughly activated behavior at high T. Data on in-plane transport demonstrate a very small energy scale for the rise in longitudinal resistance, R-L,. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 7]
机译：我们已经对三维分层半导体结构中的整数量子霍尔效应进行了电子传输研究。当平面内传输被量化时，垂直电导G（zz）对器件尺寸的依赖性表明电流Bows通过扩展的表面状态形成，该状态由每一层中耦合的边缘状态形成。随着温度的升高，散装输运开始占主导地位G（zz），从而在高T条件下产生大致激活的行为。平面内输运的数据表明，纵向电阻R-L的能量规模很小。 （C）1998 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：7]

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