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Radiation-resistant properties of Ga-doped Si analyzed by DLTS

机译：DLTS分析Ga掺杂Si的抗辐射性能

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Using deep-level transient spectroscopy (DLTS), we have studied the effect of Ga impurities upon defect generation and annealing behavior of radiation-induced defects, and carrier removal and minority-carrier lifetime degradation in Si single crystals irradiated with 1 MeV electrons at room temperature. It is found that compared to the B impurity in p-type Si, the Ga impurity strongly suppresses the generation of the E-C-0.184.21 eV and E-V + 0.36 eV defect centers, which play a dominant role in carrier removal as a deep donor state and act as a majority-carrier trapping center, and a recombination center. The effectiveness of the Ga impurity for suppressing the carrier removal effect with irradiation is also found in comparison to the B impurity. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved. [References: 7]
机译：使用深层瞬态光谱法（DLTS），我们研究了Ga杂质对缺陷的产生和辐射诱发的缺陷的退火行为的影响，以及在室温下用1 MeV电子辐照的Si单晶中的载流子去除和少数载流子寿命退化。温度。已发现，与p型Si中的B杂质相比，Ga杂质强烈抑制了EC-0.184.21 eV和EV + 0.36 eV缺陷中心的产生，这些缺陷中心在作为深施主的载流子去除中起着主导作用并充当多数载流子捕获中心和重组中心。与B杂质相比，还发现了Ga杂质通过辐射抑制载流子去除效果的有效性。 （C）2003 Elsevier B.V.保留所有权利。 [参考：7]

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