Gallium arsenides; Germanium; N type semiconductors; Nickel; Gold; Backscattering; Barriers; Diffusion; Electric contacts; Electrical properties; Electrical resistance; Electron microscopy; Interfaces; Layers; Measurement; Reprints; Resistance; Response; Solid phases;
机译:具有和不具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的快速评估退化活化能
机译:Ni / AuGe / Pt / Au中Pt扩散阻挡层对与n-GaAs欧姆接触的影响
机译:激光固相扩散与GaAs形成PN结和欧姆接触
机译:具有和不具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的退化活化能的快速评估方法
机译:通过固相反应开发与n-Ga(或Al)(0.5)In(0.5)P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
机译:具有周期性熵屏障的线性多孔介质中的扩散:通过接触球形成的管
机译:通过交换机制,热稳定的pdIn欧姆接触n-Gaas
机译:与W和W-N扩散阻挡层的p-Gaas的固相欧姆接触