Silicon; Doping; Spatial distribution; Netherlands; Electron density; Aluminum gallium arsenides; Beryllium; Electron mobility; Component report; Foreign reports; Delta doped layers;
机译:外延生长过程中多层结构的不均匀性和非线性对掺杂区中掺杂物再分布的影响
机译:使用具有横向不均匀层的样品研究半导体纳米结构中的物理现象。具有n型δ掺杂层的结构的光致发光
机译:硼掺杂硅纳米线的相关掺杂剂分布和电性能
机译:生长速率对低压金属有机气相外延生长的δ掺杂GaAs外延层中掺杂限制的影响
机译:阐明掺杂剂迁移机制,用于核心/壳纳米晶体内的受控掺杂物位置/分布
机译:巨大芽孢杆菌孢子的抗性萌发和通透性相关性依次被剥去了被膜层。
机译:使用扫描隧道显微镜通过反掺杂量身定制的GaAs中Be掺杂层的掺杂物映射