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1.
Characterization of InP/GaInAs superlattices by spectroscopic ellipsometry
机译:
椭圆偏振光谱法表征InP / GaInAs超晶格
作者:
Marco Amiotti
;
Univ. di Pavia
;
Pavia
;
Italy
;
Giorgio Guizzetti
;
Univ. di Pavia
;
Pavia
;
Italy
;
Maddalena Patrini
;
Univ. di Pavia
;
Pavia
;
Italy
;
Gunnar Landgren
;
Swedish Institute of Microelectronics
;
Kista
;
Sweden.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
2.
Characterization of electronic transport in amorphous silicon/crystalline silicon photodiodes
机译:
非晶硅/晶体硅光电二极管中电子传输的表征
作者:
Heinz-Christoph C. Neitzert
;
Ecole Polytechnique
;
Palaiseau Cedex
;
France.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
3.
Carrier lifetimes in periodically delta-doped MQW structures
机译:
周期性增量掺杂的MQW结构中的载流子寿命
作者:
Anders G. Larsson
;
Chalmers Univ. of Technology
;
Goeteborg
;
Sweden
;
Bjorn Jonsson
;
Chalmers Univ. of Technology
;
Goteborg
;
Sweden
;
Ola Sjolund
;
Chalmers Univ. of Technology
;
Goteborg
;
Sweden
;
Jeffrey G. Cody
;
Chalmers Univ. of Technology
;
Pasadena
;
CA
;
US
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
4.
Demonstration of low-power nonlinearity in InGaAs/InP multiple-quantum-well waveguides
机译:
演示InGaAs / InP多量子阱波导中的低功率非线性
作者:
Domenico Campi
;
CSELT
;
Torino
;
Italy
;
C.Cacciatore
;
CSELT
;
Torino
;
Italy
;
Claudio Coriasso
;
CSELT
;
Torino
;
Italy
;
Cesare F. Rigo
;
CSELT
;
Torino
;
Italy
;
Heinz-Christoph C. Neitzert
;
CSELT
;
Palaiseau Cedex
;
France.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
5.
Dark current mechanism and the cause of the current-voltage asymmetry in quantum-well intersubband photodetectors
机译:
量子阱子带间光电探测器中的暗电流机制和电流-电压不对称的原因
作者:
Hui C. Liu
;
National Research Council Canada
;
Ottawa
;
Ontario
;
Canada
;
A.G. Steele
;
National Research Council Canada
;
Ottawa
;
Ontario
;
Canada
;
Z.R. Wasilewski
;
National Research Council Canada
;
Ottawa
;
Ontario
;
Canada
;
M.Buchanan
;
National Research Counci
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
6.
Very large x(2)(2w) in the near infrared in AlSb/GaSb-InAsSb/AlSb asymmetric quantum wells
机译:
非常大 x(2)(2w) AlSb / GaSb-InAsSb / AlSb非对称量子阱中的近红外
作者:
Sandro Scandolo
;
IRRMA
;
Scuola Internazionale Superiore di Studi Av anzati
;
Trieste
;
Italy
;
Alfonso Baldereschi
;
IRRMA
;
Univ. di Trieste
;
Lausanne
;
Switzerland
;
Federico Capasso
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
7.
Temperature and light-induced degradation effect on a-Si:H photovoltaic PIN device properties
机译:
温度和光诱导降解对a-Si:H光伏PIN器件性能的影响
作者:
Manuela Vieira
;
Univ. Nova de Lisboa
;
Almada
;
Portugal
;
Elvira Fortunato
;
Univ. Nova de Lisboa
;
Da Caparica
;
Almada
;
Portugal
;
Carlos N. Carvalho
;
Univ. Nova de Lisboa
;
da Caparica
;
Almada
;
Portugal
;
Guilherme Lavareda
;
Univ. Nova de Lisboa
;
da Caparica
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
8.
Studies of Rb ion-exchanged KTiOPO4 waveguides by x-ray diffraction SIMS electron and proton microprobe analysis and comparison with optical refractive index profiles
机译:
通过X射线衍射SIMS电子和质子微探针分析研究Rb离子交换的KTiOPO4波导,并与光学折射率分布进行比较
作者:
Rumen Duhlev
;
Univ. of Oxford
;
Oxford
;
United Kingdom
;
C.W. Pitt
;
Univ. College London
;
London
;
United Kingdom
;
P.A. Thomas
;
Univ. of Warwick
;
Coventry
;
United Kingdom
;
A.G. James
;
Univ. College London
;
London
;
United Kingdom
;
G.W. Grime
;
Univ. of Oxford
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
9.
Strained AlGaInP visible-emitting quantum-well lasers
机译:
应变AlGaInP可见光发射量子阱激光器
作者:
Huw D. Summers
;
Univ. of Wales College Cardiff
;
Cardiff
;
Wales
;
United Kingdom
;
Peter Blood
;
Univ. of Wales College Cardiff
;
Cardiff
;
Wales
;
United Kingdom.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
10.
Si-SiGe and GaAl-AlAs quantum-well structures for second harmonic generation
机译:
用于二次谐波产生的Si-SiGe和GaAl-AlAs量子阱结构
作者:
K.B. Wong
;
Univ. of Newcastle upon Tyne
;
Newcastle upon Tyne
;
Tyne
;
Wear
;
United Kingdom
;
Mike J. Shaw
;
Univ. of Newcastle upon Tyne
;
Newcastle upon Tyne
;
United Kingdom
;
B.M. Adderley
;
Univ. of Newcastle upon Tyne
;
Newcastle upon Tyne
;
Tyne
;
Wear
;
United K
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
11.
Performances presented by a position-sensitive detector based on amorphous silicon technology
机译:
基于非晶硅技术的位置敏感检测器的性能
作者:
Elvira Fortunato
;
Univ. Nova de Lisboa
;
Da Caparica
;
Almada
;
Portugal
;
Manuela Vieira
;
Univ. Nova de Lisboa
;
Almada
;
Portugal
;
Carlos N. Carvalho
;
Univ. Nova de Lisboa
;
da Caparica
;
Almada
;
Portugal
;
Guilherme Lavareda
;
Univ. Nova de Lisboa
;
da Caparica
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
12.
Optical confinement in PbTe/PbEuTe multi-quantum-well structures
机译:
PbTe / PbEuTe多量子阱结构中的光学限制
作者:
Shu Yuan
;
Univ. Linz
;
Linz
;
Austria
;
G.Springholz
;
Univ. Linz
;
Linz
;
Austria
;
H.Krenn
;
Univ. Linz
;
Linz
;
Austria
;
G.Bauer
;
Univ. Linz
;
Linz
;
Austria
;
M.Kriechbaum
;
Univ. Graz
;
Graz
;
Austria.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
13.
Optically stimulated luminescence in Gd-doped fluoroperovskites for color center lasers
机译:
掺G的氟钙钛矿中用于色心激光器的光激发发光
作者:
K.Somaiah
;
Osmania Univ.
;
Hyderabad
;
India
;
M.V. Narayana
;
Osmania Univ.
;
Hyderabad
;
India.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
14.
Room-temperature high-sensitivity fast detector of FIR radiation
机译:
室温高灵敏度FIR辐射快速检测仪
作者:
Sergey D. Ganichev
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
Eugene V. Beregulin
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
Ilya D. Yaroshetskii
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russi
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
15.
Scaling-law anomaly and band-structure-enhanced optical nonlinearities in semiconductor superlattices
机译:
半导体超晶格的尺度定律异常和能带结构增强的光学非线性
作者:
Milan Jaros
;
Univ. of Newcastle upon Tyne
;
Newcastle upon Tyne
;
United Kingdom
;
Mike J. Shaw
;
Univ. of Newcastle upon Tyne
;
Newcastle upon Tyne
;
United Kingdom.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
16.
Multiwavelength ellipsometry at strained Si1-xGex layers on Si substrate
机译:
Si衬底上应变Si1-xGex层的多波长椭圆仪
作者:
Marita Weidner
;
Institut fuer Halbleiterphysik
;
Frankfurt
;
Oder
;
Federal Republic of Germany
;
Michael Eichler
;
Institut fuer Halbleiterphysik
;
Frankfurt
;
Oder
;
Federal Republic of Germany
;
Peter Paduschek
;
PLASMOS GmbH
;
Muenchen
;
Federal Republic of Germa
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
17.
Influence of ultra-thin AlAs barriers on the optical properties of GaAs/AlGaAs quantum-well structures
机译:
超薄AlAs势垒对GaAs / AlGaAs量子阱结构的光学性能的影响
作者:
Marcello Colocci
;
Univ. di Firenze
;
Firenze
;
Italy
;
Massimo Gurioli
;
Univ. di Firenze
;
Firenze
;
Italy
;
Juan Martinez-Pastor
;
Univ. di Firenze
;
Firenze
;
Italy
;
Bruno Chastaingt
;
CNRS-Sophia Antipolis
;
Valbonne
;
France
;
C.Deparis
;
CNRS-Sophia Antipolis
;
Val
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
18.
Fast semiconductor optical amplifier modulator design
机译:
快速半导体光放大器调制器设计
作者:
Serge Mottet
;
France Telecom
;
Lannion
;
Cedex
;
France
;
Thierry Mercier
;
France Telecom
;
Lannion
;
Cedex
;
France
;
Marc Le Ligne
;
France Telecom
;
Lannion
;
Cedex
;
France
;
Alain Le Corre
;
France Telecom
;
Lannion
;
Cedex
;
France
;
Agnese Piccirillo
;
Centro Studi e
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
19.
Energy shift and band offset with elastic strain in InGaSb epilayers on GaSb(100) by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
金属有机化学气相沉积在GaSb(100)上InGaSb外延层中的能量位移和带弹性应变的带偏移
作者:
Yan-Kuin Su
;
National Cheng Kung Univ.
;
Tainan
;
Taiwan
;
S.M. Chen
;
National Cheng Kung Univ.
;
Tainan
;
Taiwan
;
C.F. Yu
;
National Kaohsiung Institute of Technology
;
Kaohsiung
;
China
;
Y.T. Lu
;
National Cheng Kung Univ.
;
Tainan
;
Taiwan.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
20.
Fabrication and characterization of ZnSe-based blue/green laser diodes
机译:
ZnSe基蓝/绿激光二极管的制备与表征
作者:
Ayumu Tsujimura
;
Matsushita Electric Ind. Co.
;
Ltd.
;
Osaka
;
Moriguchi
;
Japan
;
Shigeo Yoshii
;
Matsushita Electric Ind. Co.
;
Ltd.
;
Osaka
;
Moriguchi
;
Japan
;
Shigeo Hayashi
;
Matsushita Electric Ind. Co.
;
Ltd.
;
Osaka
;
Moriguchi
;
Japan
;
Kazuhiro Ohkawa
;
Matsush
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
21.
Formation of AlGaAs/InGaAs buried-heterostructure laser diodes with high-quality lateral confinement interfaces
机译:
具有高质量横向限制界面的AlGaAs / InGaAs埋入异质结构激光二极管的形成
作者:
Naresh Chand
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Niloy K. Dutta
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
S.N. Chu
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Alexei V. Syrbu
;
Kishinev Polytechnic Institute
;
Chisinau
;
Moldova
;
Alexandru Mereutza
;
Kishinev P
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
22.
High-detectivity 8-12-um GaAs multi-quantum-well infrared photodetectors
机译:
高探测性8-12um GaAs多量子阱红外光电探测器
作者:
Zhenghao Chen
;
Institute of Physics
;
Beijing
;
China
;
Junming Zhou
;
Institute of Physics
;
Beijing
;
China
;
De-Fu Cai
;
Institute of Physics
;
Beijing
;
China
;
Qiang Hu
;
Institute of Physics
;
Beijing
;
China
;
Huibin Lu
;
Institute of Physics
;
Beijing
;
China
;
Guoz
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
23.
Hot carrier model for highly nondegenerate four-wave-mixing in semiconductor laser devices
机译:
半导体激光器中高度简并四波混频的热载流子模型
作者:
Gian P. Bava
;
Politecnico di Torino
;
Torino
;
Italy
;
Pierluigi Debernardi
;
Politecnico di Torino
;
Torino
;
Italy
;
M.Tonetti
;
Politecnico di Torino
;
Torino
;
Italy.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
24.
Fulgide-doped PMMA thin-film waveguides for optoelectronics
机译:
用于电子的掺Fulgide掺杂的PMMA薄膜波导
作者:
Thiemo Kardinahl
;
Univ. Duisburg
;
Duisburg
;
Federal Republic of Germany
;
Hilmar Franke
;
Univ. Duisburg
;
Duisburg
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
25.
In-situ characterization of charge-carrier kinetics in multilayers during plasma growth and etching of amorphous silicon films
机译:
等离子体生长和非晶硅膜蚀刻过程中多层中载流子动力学的原位表征
作者:
Heinz-Christoph C. Neitzert
;
Ecole Polytechnique
;
Palaiseau Cedex
;
France.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
26.
IV-VI on fluoride/Si structures for IR-sensor-array a
机译:
用于氟化物/硅结构的IV-VI用于红外传感器阵列
作者:
Alexander Fach
;
Swiss Federal Institute of Technology
;
Zurich
;
Switzerland
;
Clau Maissen
;
Swiss Federal Institute of Technology
;
Zurich
;
Switzerland
;
Jiri Masek
;
Swiss Federal Institute of Technology
;
Zurich
;
Switzerland
;
S.Teodoropol
;
Swiss Federal Insti
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
27.
Two-dimensional photodetector with the light-controlled area of photosensitivity
机译:
具有光敏区域的二维光电探测器
作者:
Andrei V. Kichaev
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
Peter G. Kasherininov
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
S.J. Kuzmin
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
Saratov
;
Russia
;
Aleksey V. K
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
28.
Mechanism of intensity modulation in ARROW waveguides
机译:
ARROW波导中强度调制的机理
作者:
Jacek M. Kubica
;
Warsaw Univ. of Technology
;
Warszawa
;
Poland
;
Jerzy Gazecki
;
Royal Melbourne Institute of Technology
;
Melbourne
;
Victoria
;
Australia
;
Geoffrey K. Reeves
;
Royal Melbourne Institute of Technology
;
Glen Waverley
;
Victoria
;
Australia.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
29.
Line-narrowing and fast modulation of AlGaAs and InGaAlP semiconductor diode lasers
机译:
AlGaAs和InGaAlP半导体二极管激光器的变窄和快速调制
作者:
Guglielmo M. Tino
;
Univ. di Napoli
;
Napoli
;
Italy
;
Massimo Inguscio
;
European Lab. for Nonlinear Spectroscopy
;
Firenze
;
Italy
;
Francesco S. Pavone
;
European Lab. for Nonlinear Spectroscopy
;
Firenze
;
Italy
;
Francesco Marin
;
Scuola Normale Superiore
;
Firenz
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
30.
New fast point detector of FIR laser radiation
机译:
新型FIR激光辐射快速检测仪
作者:
Sergey D. Ganichev
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
K.Y. Glooch
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
I.N. Kotelnikov
;
Institute of Radioengineering
;
Electronics
;
Moscow
;
Russia
;
N.A. Mordovets
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
31.
Heterojunction band discontinuities measured by free-electron laser internal photoemission
机译:
自由电子激光内部光发射测量的异质结带不连续性
作者:
Author(s): Carlo Coluzza Ecole Polytechnique Federale Lausanne Switzerland
;
G.Almeida Ecole Polytechnique Federale Lausanne Switzerland
;
E.Tuncel Ecole Polytechnique Federale Lausanne Switzerland
;
Jean L. Staehli Ecole Polytechnique Federale La
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
32.
Application of thin-film electroluminescent and photoconducting devices in an optoelectronic memory cell
机译:
薄膜电致发光和光电导器件在光电存储单元中的应用
作者:
Author(s): Zbigniew W. Porada Krakow Polytechnic Krakow Poland.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
33.
Characterization of main electron scattering mechanisms in InGaAs/InAlAs single quantum wells by optical modulation spectroscopy
机译:
InGaAs / InAlAs单量子阱中主要电子散射机理的光调制光谱表征
作者:
Y.Baltagi
;
INSA de Lyon
;
Villeurbanne Cedex
;
France
;
C.Bru
;
INSA de Lyon
;
Villeurbanne
;
Cedex
;
France
;
A.Tabata
;
INSA de Lyon
;
Villeurbanne Cedex
;
France
;
Taha Benyattou
;
INSA de Lyon
;
Villeurbanne Cedex
;
France
;
S.Moneger
;
INSA de Lyon
;
Villeurbanne Cede
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
34.
Band offsets engineering at semiconductor heterojunctions
机译:
半导体异质结处的带偏移工程
作者:
M.Peressi
;
Univ. di Trieste
;
Trieste
;
Italy
;
L.Colombo
;
Univ. di Milano
;
Trieste
;
Italy
;
Alfonso Baldereschi
;
Univ. di Trieste (Italy)
;
IRRMA
;
Lausanne
;
Switzerland
;
R.Resta
;
IRRMA (Switzerland)
;
Scuola Internazionale Superio re di Studi Avanzati
;
Trieste
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
35.
Carrier capture time: relevance to laser performance
机译:
载流子捕获时间:与激光性能有关
作者:
Jos E. Haverkort
;
Eindhoven Univ. of Technology
;
Eindhoven
;
Netherlands
;
Paul W. Blom
;
Eindhoven Univ. of Technology
;
Eindhoven
;
Netherlands
;
Joachim H. Wolter
;
Eindhoven Univ. of Technology
;
Eindhoven
;
Netherlands.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
36.
Defect characterization of GaAs/InP layers and MESFETs devices by admittance and photoluminescence spectroscopies
机译:
GaAs / InP层和MESFET器件的导纳和光致发光光谱表征缺陷
作者:
A.Ben Hamida
;
INSA de Lyon
;
Villeurbanne
;
Cedex
;
France
;
Georges E. Bremond
;
INSA de Lyon
;
Villeurbanne Cedex
;
France
;
M.A. Garcia Perez
;
INSA de Lyon
;
Villeurbanne
;
Cedex
;
France
;
Gerard Guillot
;
INSA de Lyon
;
Villeurbanne Cedex
;
France
;
Rozette Azoulay
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
37.
Determination of the optical properties of II-VI compounds by spectroscopic ellipsometry
机译:
椭圆偏振光谱法测定II-VI化合物的光学性质
作者:
Jan C. Jans
;
Philips Research Labs. (Netherlands)
;
Eindhoven
;
Netherlands
;
J.Petruzzello
;
Philips Research Labs.
;
Briarcliff Manor
;
NY
;
USA
;
J.M. Gaines
;
Philips Research Labs.
;
Santa Barbara
;
CA
;
USA
;
Diego J. Olego
;
Philips Research Labs.
;
Briarcliff Ma
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
38.
Effect of defects due to lattice mismatch between GaAs and InP materials on gate-leakage current and microwave noise of GaAs MESFETS on InP substrates
机译:
GaAs和InP材料之间晶格失配引起的缺陷对InP衬底上GaAs MESFETS的栅漏电流和微波噪声的影响
作者:
Mourad Chertouk
;
France Telecom/CNET
;
Bagneux
;
France
;
A.Boudiaf
;
France Telecom/CNET
;
Bagneux
;
France
;
Rozette Azoulay
;
France Telecom/CNET
;
Bagneux
;
France
;
A.Clei
;
France Telecom/CNET
;
Bagneux
;
France.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
39.
Dielectrically confined excitons in natural superlattices: perovskite lead iodide semiconductors
机译:
天然超晶格中的电介质限制激子:钙钛矿碘化铅半导体
作者:
E.Muljarov
;
General Physics Institute
;
Moscow
;
Russia
;
Sergei G. Tikhodeev
;
General Physics Institute
;
Moscow
;
Russia
;
T.Ishihara
;
Tohoku Univ.
;
Hiroshima
;
Japan.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
40.
Diacetylenes as nonlinear materials
机译:
二乙炔作为非线性材料
作者:
G.H. Milburn
;
Napier Univ.
;
Longniddry
;
East Lothian
;
United Kingdom
;
A.R. Werninck
;
Napier Univ.
;
Edinburgh
;
United Kingdom
;
A.J. Shand
;
Napier Univ.
;
Edinburgh
;
United Kingdom
;
J.Wright
;
Napier Univ.
;
Edinburgh
;
United Kingdom.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
41.
Fast optical recording and photonic switching at room temperature using KCl:LiFA centers
机译:
使用KCl:LiFA中心在室温下进行快速光学记录和光子切换
作者:
Jari Luostarinen
;
Lappeenranta Univ. of Technology
;
Lappeenranta
;
Finland
;
Kai-Erik Peiponen
;
Univ. of Joensuu
;
Joensuu
;
Finland
;
Pertti Silfsten
;
Lappeenranta Univ. of Technology
;
Joensuu
;
Finland.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
42.
Development of an integrated optical microphone by means of waveguide structuring on PMMA
机译:
通过PMMA上的波导结构开发集成光学麦克风
作者:
D.Garthe
;
Technische Hochschule Darmstadt
;
Darmstadt
;
Federal Republic of Germany
;
Juergen Kobiela
;
Technische Hochschule Darmstadt
;
Darmstadt
;
Federal Republic of Germany
;
Renate Kallweit
;
Forschungsinstitut der Deutschen Bundespost Telekom
;
Darmstadt
;
F
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
43.
Fast optical addressing using plasma gratings stabilized by deep centers in semiconductors
机译:
使用通过半导体深中心点稳定的等离子光栅进行快速光学寻址
作者:
N.Gouaichault-Brugel
;
UPS/INSA
;
Toulouse
;
France
;
Laurent Nardo
;
UPS/INSA
;
Toulouse Cedex
;
France
;
Michel Pugnet
;
UPS/INSA
;
Toulouse Cedex
;
France
;
Jacques H. Collet
;
UPS/INSA
;
Toulouse Cedex
;
France
;
J.L. Iehl
;
UPS/INSA
;
Toulouse Cedex
;
France
;
R.Grac
;
U
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
44.
Exciton-polariton resonances in light absorption spectra of semiconductor superlattices and crystals
机译:
半导体超晶格和晶体的光吸收谱中的激子-极化子共振
作者:
Ruben P. Seisyan
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
V.A. Kosobukin
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
S.A. Vaganov
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
G.N. Aliev
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
45.
Excitonic bistability of GaAs/Ga0.7Al0.3As ridged waveguides
机译:
GaAs / Ga0.7Al0.3As脊形波导的激子双稳态
作者:
Vittorio Pellegrini
;
Univ. di Pisa
;
Pisa
;
Italy
;
Francesco Fuso
;
Univ. di Pisa
;
Pisa
;
Italy
;
Ennio Arimondo
;
Univ. di Pisa
;
Pisa
;
Italy.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
46.
Exciton modes in quantum barriers
机译:
量子势垒中的激子模
作者:
F.Martelli
;
Fondazione Ugo Bordoni
;
Roma
;
Italy
;
Mario Capizzi
;
Univ. di Roma `La Sapienza`
;
Rome
;
Italy
;
Andrea Frova
;
Univ. di Roma La Sapienza
;
Rome
;
Italy
;
A.Polimeni
;
Univ. di Roma La Sapienza
;
Rome
;
Italy
;
F.Sarto
;
Univ. di Roma La Sapienza
;
R
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
47.
Electro-optical modulation in silicon-silicon/germanium quantum-well structures
机译:
硅-硅/锗量子阱结构中的电光调制
作者:
Lionel R. Friedman
;
Rome Lab.
;
Bedford
;
MA
;
USA
;
Richard A. Soref
;
Rome Lab.
;
Bedford
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
48.
Hot-electron-induced light emission and impact ionization in GaAs-based devices
机译:
GaAs基器件中的热电子诱导发光和碰撞电离
作者:
Carlo Tedesco
;
Univ. di Padova
;
Padova
;
Italy
;
Claudio Canali
;
Univ. di Modena
;
Modena
;
Italy
;
Manfredo Manfredi
;
Univ. di Parma
;
Parma
;
Italy
;
Andrea Neviani
;
Univ. di Padova
;
Padova
;
Italy
;
Enrico Zanoni
;
Univ. di Padova
;
Padova
;
Italy.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
49.
Errors in the determination by HREM of steps at AlAs/GaAs interfaces
机译:
通过HREM确定AlAs / GaAs界面上的步骤时出错
作者:
Sergio I. Molina
;
Univ. de Cadiz
;
Puerto Real
;
Spain
;
Francisco J. Pacheco
;
Univ.de Cadiz
;
Puerto Real
;
Cadiz
;
Spain
;
Rafael Garcia
;
Univ. de Cadiz
;
Puerto Real
;
Cadiz
;
Spain.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
50.
Growth and characterization of ultrathin InAs/GaAs quantum wells
机译:
超薄InAs / GaAs量子阱的生长和表征
作者:
Romuald Houdre
;
Ecole Polytechnique Federale
;
Lausanne
;
Switzerland
;
E.Tuncel
;
Ecole Polytechnique Federale
;
Lausanne
;
Switzerland
;
Jean L. Staehli
;
Ecole Polytechnique Federale
;
Lausanne
;
Switzerland.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
51.
Influence of growth rate on the dopant confinement in delta-doped GaAs epitaxial layers grown by low-pressure metal organic vapor phase epitaxy
机译:
生长速率对低压金属有机气相外延生长的δ掺杂GaAs外延层中掺杂限制的影响
作者:
G.Li
;
Australian National Univ.
;
Canberra
;
Australia
;
C.Jagadish
;
Australian National Univ.
;
Canberra
;
ACT
;
Australia
;
A.Clark
;
Australian National Univ.
;
Canberra
;
Australia
;
C.A. Larsen
;
Australian National Univ.
;
Canberra
;
Australia
;
N.Hauser
;
Australi
会议名称:
《》
|
1993年
52.
Improved photoresponse in nipi structures
机译:
改善了Nipi结构中的光响应
作者:
Manfred Pippan
;
Montanuniv. Leoben
;
Graz
;
Austria
;
Josef Oswald
;
Montanuniv. Leoben
;
Leoben
;
Austria.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
53.
Frequency tuning of a double-heterojunction AlGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser by a serial integrated modulator diode
机译:
通过串联集成调制器二极管对双异质结AlGaAs / GaAs垂直腔面发射激光器进行频率调谐
作者:
Claire Gmachl
;
Technische Univ. Muenchen
;
Garching bei Muenchen
;
Federal Republic of Germany
;
Anton Koeck
;
Technische Univ. Muenchen
;
Garching bei Muenchen
;
Federal Republic of Germany
;
Matthias Rosenberger
;
Technische Univ. Muenchen
;
Garching bei Muenche
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
54.
Insight into optical gain effects in InGaAs/InP multiple-quantum-well laser diodes observed by uniaxial stress
机译:
通过单轴应力观察InGaAs / InP多量子阱激光二极管的光学增益效应
作者:
William S. Ring
;
Dublin City Univ.
;
Dublin 9
;
Ireland
;
Martin O. Henry
;
Dublin City Univ.
;
Dublin 9
;
Ireland
;
J.E. A. Whiteaway
;
BNR Europe Ltd.
;
Harlow
;
Essex
;
United Kingdom
;
Christopher J. Armistead
;
BNR Europe Ltd.
;
Harlow
;
Essex
;
United Kingdom.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
55.
In-situ structured MBE-grown crystals for a
机译:
原位结构MBE生长的晶体用于
作者:
K.H. Gulden
;
Univ. Erlangen-Nuernberg
;
Erlangen
;
Federal Republic of Germany
;
M.Kneissl
;
Univ. Erlangen-Nuernberg
;
Erlangen
;
Federal Republic of Germany
;
P.Kiesel
;
Univ. Erlangen-Nuernberg
;
Erlangen
;
Federal Republic of Germany
;
A.Hoefler
;
Univ. Erlangen-
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
56.
InGaAs/GaAs frequency tunable twin-guide quantum-well laser designed for steerable surface emission
机译:
InGaAs / GaAs频率可调双导量子阱激光器设计用于可控表面发射
作者:
Matthias Rosenberger
;
Technische Univ. Muenchen
;
Garching bei Muenchen
;
Federal Republic of Germany
;
Anton Koeck
;
Technische Univ. Muenchen
;
Garching bei Muenchen
;
Federal Republic of Germany
;
Claire Gmachl
;
Technische Univ. Muenchen
;
Garching bei Muenche
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
57.
Intersubband transitions of optically excited excitons in quantum wells
机译:
量子阱中光激发激子的子带间跃迁
作者:
Rosana Rodrigues
;
Univ. Innsbruck
;
Innsbruck
;
Austria
;
Ralph A. Hoepfel
;
Univ. Innsbruck
;
Innsbruck
;
Austria
;
Yasuaki Iimura
;
RIKEN
;
Saitama
;
Japan
;
T.Yasui
;
RIKEN
;
Aoba-ku
;
Sendai
;
Japan
;
Yusaburo Segawa
;
RIKEN
;
Aoba-ku
;
Sendai
;
Japan
;
Yoshinobu Aoyagi
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
58.
Investigation of strain relaxation in short-period SimGen superlattices using reciprocal space ma
机译:
基于倒数空间的短周期SimGen超晶格应变松弛研究
作者:
E.Koppensteiner
;
Johannes Kepler Univ.
;
Linz
;
Austria
;
P.Hamberger
;
Johannes Kepler Univ.
;
Linz
;
Austria
;
Guenther E. Bauer
;
Johannes Kepler Univ.
;
Linz
;
Austria
;
Horst Kibbel
;
Daimler Benz AG
;
Ulm
;
Federal Republic of Germany
;
Hartmut Presting
;
Daimler B
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
59.
Tuning of an optical interference filter using Pancharatnam's topological phase
机译:
使用Pancharatnam的拓扑相位调整光学干涉滤光片
作者:
H.Schmitzer
;
Univ. Regensburg
;
Regensburg
;
Federal Republic of Germany
;
Susanne Klein
;
Univ. Saarbraecken
;
Saarbruecken
;
Federal Republic of Germany
;
Wolfgang Dultz
;
Deutsche Bundespost Telekom Darmstadt
;
Darmstadt
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
60.
Photoluminescence of porous silicon by pulse exitation
机译:
脉冲激发的多孔硅的光致发光
作者:
A.V. Andrianov
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
D.I. Kovalev
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
V.B. Shuman
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
Ilya D. Yaroshets
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
61.
Light emission from hot carriers in polar semiconductor devices
机译:
极性半导体器件中热载流子的发光
作者:
Paolo Lugli
;
Univ. di Roma Tor Vergata
;
Roma
;
Italy
;
A.Di Carlo
;
Technische Univ. Muenchen
;
Muenchen
;
Garching
;
Federal Republic of Germany
;
Peter Vogl
;
Technische Univ. Muenchen
;
Muenchen
;
Garching
;
Federal Republic of Germany
;
G.Zandler
;
Technische
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
62.
Lifetime of excitons in GaAs quantum wells
机译:
GaAs量子阱中激子的寿命
作者:
Bernard Sermage
;
France Telecom
;
Bagneux
;
France
;
Benoit Deveaud
;
France Telecom
;
Lausanne
;
Switzerland
;
M.Berz
;
France Telecom
;
Bagneux
;
France
;
F.Clerot
;
France Telecom
;
Lannion
;
France
;
S.Long
;
France Telecom
;
Bagneux
;
France
;
D.S. Katzer
;
Naval Resear
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
63.
Linear and nonlinear optics of asymmetric quantum wells
机译:
非对称量子阱的线性和非线性光学
作者:
R.Atanasov
;
Scuola Normale Superiore
;
Pisa
;
Italy
;
G.F. Bassani
;
Scuola Normale Superiore
;
Pisa
;
Italy.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
64.
Many body theory of strained-quantum-well laser media
机译:
应变量子阱激光介质的多体理论
作者:
Mauro F. Pereira
;
Jr.
;
Pontificia Univ. Catolica do Rio de Janeiro
;
Rio de Janeiro
;
RJ
;
Brazil
;
Stephan W. Koch
;
Univ. of Arizona
;
Tucson
;
AZ
;
USA
;
Weng W. Chow
;
Sandia National Labs.
;
Sandia Park
;
NM
;
USA.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
65.
Magneto-optical study of band parameters in the GaAs/(AlGa)As MQW heterosystem
机译:
GaAs /(AlGa)As MQW异质系统中带参数的磁光研究
作者:
Ruben P. Seisyan
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
S.I. Kokhanovskii
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
Alexey V. Kavokin
;
A.F. Ioffe Physical-Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
A.I.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
66.
Tuning heterojunction band offsets by interface delta-doping
机译:
通过接口增量掺杂调整异质结带偏移
作者:
Sandro Scandolo
;
IRRMA (Switzerland)
;
Scuola Internazionale Superio re di Avanzati
;
Trieste
;
Italy
;
Alfonso Baldereschi
;
IRRMA (Switzerland)
;
Univ. di Trieste (Italy)
;
Lausanne
;
Switzerland.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
67.
Vacuum electroreflectance electrolyte electroreflectance and photoreflectance study of highly doped GaAs
机译:
高掺杂GaAs的真空电反射电解质电反射和光反射研究
作者:
Silvia L. Mioc
;
Univ. of Illinois/Chicago
;
Chicago
;
IL
;
USA
;
Zhijie Zhang
;
Univ. of Illinois/Chicago
;
Chicago
;
IL
;
USA
;
James W. Garland
;
Univ. of Illinois/Chicago
;
Chicago
;
IL
;
USA
;
Paul M. Raccah
;
Univ. of Illinois/Chicago
;
Chicago
;
IL
;
USA.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
68.
Time-resolved fluorescence investigation of SiC epitaxy layer
机译:
SiC外延层的时间分辨荧光研究
作者:
Harald Bergner
;
Friedrich-Schiller-Univ. Jena
;
Jena
;
Federal Republic of Germany
;
Ralf Goerlich
;
Friedrich-Schiller-Univ. Jena
;
Jena
;
Federal Republic of Germany
;
A.Krause
;
Friedrich-Schiller-Univ. Jena
;
Jena
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
69.
Thin polyimide films prepared by a vacuum deposition process (VDP): morphology and properties
机译:
通过真空沉积工艺(VDP)制备的聚酰亚胺薄膜:形貌和性能
作者:
Gentsho V. Danev
;
Central Lab. of Photoprocesses
;
Sofia
;
Bulgaria
;
Erintche M. Spassova
;
Central Lab. of Photoprocesses
;
Sofia
;
Bulgaria
;
D.Z. Dimitrov
;
Central Lab. of Photoprocesses
;
Sofia
;
Bulgaria
;
Ivo P. Doudevski
;
Sofia Univ.
;
Sofia
;
Bulgaria.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
70.
Thermal behavior of a laser diode
机译:
激光二极管的热行为
作者:
Mario Bertolotti
;
Univ. di Roma La Sapienza
;
Roma
;
Italy
;
M.Albani
;
Univ. di Roma La Sapienza
;
Roma
;
Italy
;
R.Li Voti
;
Univ. di Roma La Sapienza
;
Roma
;
Italy
;
G.Liakhou
;
Kishinev Polytechnic Institute
;
Kishinev
;
Moldova
;
Francesco Michelotti
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
71.
Spectroscopic ellipsometry characterisatiion of strained Si1-xGex multi-quantum wells for optoelectronic a
机译:
用于光电器件的应变Si1-xGex多量子阱的光谱椭圆偏振特性
作者:
Chris Pickering
;
Defence Research Agency
;
Great Malvern
;
Worcestershire
;
United Kingdom
;
Roger T. Carline
;
Defence Research Agency
;
Malvern Wells
;
Worcs
;
United Kingdom
;
D.J. Robbins
;
Defence Research Agency
;
Malvern
;
United Kingdom
;
Weng Y. Leong
;
Defenc
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
72.
Stark ladder transition of GaAs/AlGaAs superlattices in high-energy region
机译:
高能区GaAs / AlGaAs超晶格的鲜明阶梯跃迁
作者:
Masahito Yamaguchi
;
Osaka Univ.
;
Suita City
;
Osaka
;
Japan
;
Masato Morifuji
;
Osaka Univ.
;
Suita City
;
Osaka
;
Japan
;
Hitoshi Kubo
;
Osaka Univ.
;
Suita City
;
Osaka
;
Japan
;
Kenji Taniguchi
;
Osaka Univ.
;
Suita City
;
Osaka
;
Japan
;
Chihiro Hamaguchi
;
Osaka Univ.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
73.
Picosecond signal recovery of type II tunneling bi-quantum-well etalon in all-optical gate operation
机译:
全光闸操作中II型隧穿双量子阱标准具的皮秒信号恢复
作者:
Atsushi Takeuchi
;
Fujitsu Labs.
;
Ltd.
;
Atsugi
;
Japan
;
Tsuguo Inata
;
Fujitsu Labs.
;
Ltd.
;
Atsugi
;
Japan
;
Yoshiaki Nakata
;
Fujitsu Labs.
;
Ltd.
;
Atsugi
;
Japan
;
Satoshi Nakamura
;
Fujitsu Labs.
;
Ltd.
;
Atsugi-shi
;
Kanagawa
;
Japan
;
Yoshihiro Sugiyama
;
Fujitsu La
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
74.
Quasi-stationary states and type I and type II heterojunctions in InAsSbP/InAs system
机译:
InAsSbP / InAs系统中的准稳态和I型和II型异质结
作者:
Michael S. Bresler
;
A.F. Ioffe Physical Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
O.B. Gusev
;
A.F. Ioffe Physical Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
Irina N. Yassievich
;
A.F. Ioffe Physical Technical Institute
;
St. Petersburg
;
Russia
;
Yurii P
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
75.
Novel surface-emitting GaAs/AlGaAs laser diode beam steering device based on surface mode emission
机译:
基于表面模式发射的新型表面发射GaAs / AlGaAs激光二极管光束操纵装置
作者:
Anton Koeck
;
Technische Univ. Muenchen
;
Garching bei Muenchen
;
Federal Republic of Germany
;
Matthias Rosenberger
;
Technische Univ. Muenchen
;
Garching bei Muenchen
;
Federal Republic of Germany
;
Claire Gmachl
;
Technische Univ. Muenchen
;
Garching bei Muenche
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
76.
Novel flat-panel display made of amorphous SiN:H/SiC:H thin-film LED
机译:
由非晶SiN:H / SiC:H薄膜LED制成的新型平板显示器
作者:
Wirote Boonkosum
;
Chulalongkorn Univ.
;
Bangkok
;
Thailand
;
Dusit Kruangam
;
Chulalongkorn Univ.
;
Bangkok
;
Thailand
;
Somsak Panyakeow
;
Chulalongkorn Univ.
;
Bangkok
;
Thailand.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
77.
Novel monolithic MQW modulator/co-cavity two-section optical bistable laser light source
机译:
新型单片MQW调制器/共腔两段式光学双稳态激光光源
作者:
Qiming Wang
;
Institute of Semiconductors
;
Beijing
;
China
;
Feike Xiong
;
Institute of Semiconductors
;
Beijing
;
China
;
Wenzhi Gao
;
Institute of Semiconductors
;
Beijing
;
China
;
Ronghan Wu
;
Institute of Semiconductors
;
Beijing
;
China
;
Shiming Lin
;
Institute of
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
78.
Optical properties of planar and selectively grown SiGe/Si multiple quantum wells
机译:
平面和选择性生长的SiGe / Si多量子阱的光学性质
作者:
Detlev A. Gruetzmacher
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
T.O. Sedgwick
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
Greg A. Northrop
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
Adrian R.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
79.
Near-surface quantum wells in GaAs: recovery of emission efficiency via surface passivation by hydrogen and stability effects
机译:
GaAs中的近表面量子阱:通过氢的表面钝化和稳定效应恢复发射效率
作者:
Andrea Frova
;
Univ. di Roma La Sapienza
;
Rome
;
Italy
;
V.Emiliani
;
Univ. di Roma La Sapienza
;
Rome
;
Italy
;
Mario Capizzi
;
Univ. di Roma La Sapienza
;
Rome
;
Italy
;
B.Bonanni
;
Univ. di Roma La Sapienza
;
Rome
;
Italy
;
Ying L. Chang
;
Univ. of Cal
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
80.
Second harmonic generation in ZnTe waveguides
机译:
ZnTe波导中的二次谐波产生
作者:
Hans-Peter Wagner
;
Univ. Regensburg
;
Regensburg
;
Federal Republic of Germany
;
H.Schmitzer
;
Forchungsinstitut der DBP
;
Regensburg
;
Federal Republic of Germany
;
Harald Stanzl
;
Univ. Regensburg
;
Regensburg
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
81.
Porous silicon and its a
机译:
多孔硅及其
作者:
Lorenzo Pavesi
;
Univ. di Trento
;
Povo
;
Italy
;
G.Mariotto
;
Univ. di Trento
;
Povo
;
Italy
;
O.Bisi
;
Univ. di Trento
;
Povo
;
Italy
;
M.Anderle
;
Istituto per la Ricerca Scientifica e Tecnologica
;
Povo
;
Trento
;
Italy
;
L.Calliari
;
Istituto per la Ricerca Scientific
会议名称:
《》
|
1993年
82.
Modification of heterojunction band offsets at III-V/IV/III-V interfaces
机译:
修改III-V / IV / III-V接口处的异质结带偏移
作者:
G.Biasiol
;
Consorzio Interuniversitario di Fisica della Materia
;
Univ. of Minnesota
;
Trieste
;
Italy
;
L.Sorba
;
Consorzio Interuniversitario di Fisica della Materia
;
Univ. of Minnesota
;
Minneapolis
;
MN
;
USA
;
G.Bratina
;
Consorzio Interuniversitario di Fisica d
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
83.
Nonlinear optical interband transitions between electronic states in semiconductors in crossed-electric and magnetic fields
机译:
交叉电场和磁场中半导体电子状态之间的非线性光学带间跃迁
作者:
Edmondo De Salvo
;
Digital Equipment SpA
;
Turin
;
Italy
;
Raffaello Girlanda
;
Univ. di Messina
;
Messina
;
Italy.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
84.
Nonlinear optical phenomena and lasing in semiconductor quantum dots and wires
机译:
半导体量子点和导线中的非线性光学现象和激射
作者:
V.S. Dneprovskii
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
V.Karavanskii
;
Institute for General Physics
;
Moscow
;
Russia
;
Victor I. Klimov
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
D.K. Okorokov
;
Moscow State Univ.
;
Moscow
;
Russia
;
Yu. V. Vandyshev
;
Moscow State Uni
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
85.
Nonlinear optical behavior of the arachidonic acid and their mixtures with other fatty acids and cholesterol in mesophase
机译:
花生四烯酸及其与其他脂肪酸和胆固醇的混合物在中间相中的非线性光学行为
作者:
Mihaela A. Dumitru
;
Politechnica Univ. of Bucharest
;
Bucharest
;
Romania
;
Ion M. Popescu
;
Politechnica Univ. of Bucharest
;
Bucharest
;
Romania
;
Maria Honciuc
;
Politechnica Univ. of Bucharest
;
Bucharest
;
Romania.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
86.
Application of thin-film electroluminescent and photoconducting devicesin an optoelectronic memory cell,
机译:
薄膜电致发光和光电导器件在光电存储单元中的应用,
作者:
Zbigniew W. Porada
;
Krakow Polytechnic
;
Krakow
;
Poland.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
87.
Nonequilibrium charge carriers recombination diffusion peculiarities and bleaching in InGaAs(P) epitaxial layers
机译:
InGaAs(P)外延层中非平衡电荷载流子的复合扩散特性和漂白
作者:
Mindaugas Petrauskas
;
Vilnius Univ.
;
Vilnius
;
Lithuania
;
Saulius Juodkazis
;
Vilnius Univ.
;
Vilnius
;
Lithuania
;
Magnus Willander
;
Linkoping Univ.
;
Linkoping
;
Sweden
;
Aziz Quacha
;
Linkoping Univ.
;
Linkoping
;
Sweden.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
88.
New class of coupled-quantum-well semiconductors with large electric field-tunable nonlinear susceptibilities in the infrared
机译:
在红外中具有大电场可调非线性磁化率的新型耦合量子阱半导体
作者:
Carlo Sirtori
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Federico Capasso
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Alfred Y. Cho
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
89.
Characterization of process-induced defects in 2.6-um InGaAs photodiodes
机译:
2.6um InGaAs光电二极管中工艺引起的缺陷的表征
作者:
Vladimir S. Ban
;
EPITAXX
;
Inc.
;
West Trenton
;
NJ
;
USA
;
Abhay M. Joshi
;
EPITAXX
;
Inc.
;
Plainsboro
;
NJ
;
USA
;
Natko B. Urli
;
Rudjer Boskovic Institute
;
Zagreb
;
Croatia.
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
90.
Optical bistability of p-i-n and n-i-p-i structures at very low optical power
机译:
p-i-n和n-i-p-i结构在非常低的光功率下的光学双稳性
作者:
Author(s): P.Kiesel Univ. Erlangen-Nuernberg Erlangen Federal Republic of Germany
;
K.H. Gulden Univ. Erlangen-Nuernberg Erlangen Federal Republic of Germany
;
A.Hoefler Univ. Erlangen-Nuernberg Erlangen Federal Republic of Germany
;
M.Kneissl Univ
会议名称:
《Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II》
|
1993年
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