机译:使用CMOS兼容工艺在块状衬底上制造高性能硅纳米线全能nMOSFET
机译:通过批量兼容工艺制造的具有26nm硅层的0.11μm全耗尽SOI CMOS器件
机译:0.11μm全耗尽的SOI CMOS器件,具有由批量兼容过程制造的26nm硅层
机译:悬空高纵横比集成硅微结构的CMOS兼容工艺
机译:Silicon-CMOS BEOL兼容的材料系统和片上光学互连组件的处理。
机译:用于芯片实验室应用的硅纳米带传感器与CMOS的单片晶圆级集成
机译:用于物联网应用的柔性硅上异构多传感器的CMOS兼容大规模单片集成