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用于高纵横比的基本垂直的深硅沟槽的硅外延

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本申请涉及用于高纵横比的基本垂直的深硅沟槽的硅外延。本申请公开了一种形成半导体器件的方法(600C)，其包括：在掺杂有具有第一导电类型的第一掺杂剂的半导体区域中蚀刻(605)高纵横比的基本垂直的沟槽，并且在高纵横比的基本垂直的沟槽的内表面上执行(610)用于沉积掺杂有第二掺杂剂的硅的第一循环，第一循环包括交替地以第一恒定压力沉积硅并且以从第一值斜升至第二值的蚀刻压力蚀刻沉积的硅，第二掺杂剂具有与第一导电类型相反的第二导电类型。

著录项

公开/公告号CN107887271A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-04-06

原文格式PDF
申请/专利权人德克萨斯仪器股份有限公司;
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申请/专利号CN201710913013.1
发明设计人 T·托梅娜瑞;S·铃木;S·斯瑞达;C·B·可音可;S·J·莫洛伊;H·卡瓦哈勒;
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申请日2017-09-30
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人徐东升
地址美国德克萨斯州
入库时间 2023-06-19 04:59:29

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-08-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/3205 申请日:20170930

实质审查的生效
2018-04-06

公开

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外文文献

1. 用于高纵横比的基本垂直的深硅沟槽的硅外延 [P] . 中国专利： CN107887271A . 2018-04-06
2. 用于选择性外延硅沟槽填充的方法 [P] . 中国专利： CN105019019A . 2015-11-04
3. Silicon epitaxy for high aspect ratio, substantially perpendicular deep silicon trench [P] . 美国专利： US9905638B1 . 2018-02-27

机译：硅外延以实现高深宽比，基本垂直于深硅沟槽
4. SILICON STRUCTURE HAVING AN OPENING WHICH HAS A HIGH ASPECT RATIO, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SYSTEM FOR MANUFACTURING THE SAME, AND PROGRAM FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING ETCHING MASK FOR THE SILICON STRUCTURE [P] . 美国专利： US2009275202A1 . 2009-11-05

机译：具有高纵横比的硅结构，用于制造该硅结构的方法，用于制造该硅结构的系统以及用于制造该硅结构的程序以及用于制造硅结构的蚀刻膜的方法
5. Mfr. of insulating, monocrystalline silicon@ island for microelectronic IC - by oxygen implanting doped monocrystalline silicon@ region, depositing epitaxial silicon@ layer, forming trench, forming mask on silicon@ wafer etc. [P] . 德国专利： DE4127925A1 . 1993-02-25

机译：制造商用于微电子IC的绝缘单晶硅岛-通过氧注入掺杂的单晶硅区域，沉积外延硅层，形成沟槽，在硅晶片上形成掩模等。