机译:运输散射时间和量子寿命对调制掺杂单个GaAs量子井中的二维电子气密度与ALAS / GaAs短期超晶格屏障
机译:GaAs衬底中EL2的光猝灭对GaAs / AlAs短周期超晶格很好约束的GaAs单量子的压电光热和表面光电压谱的影响
机译:微波场中带有AlAs / GaAs超晶格势垒的GaAs量子阱中二维电子气的磁阻振荡
机译:栅GaAs / AlGaAs异质结构中电子的输运和量子寿命依赖性
机译:具有AlAs / GaAs II型超晶格势垒的调制掺杂GaAs和(GaIn)As量子阱中的电导率极高
机译:半填充AlGaAs / GaAs二维电子系统中的量子输运
机译:基于密度泛函理论计算的短周期(GaAs)m(AlAs)n(mn≤10)超晶格的电子结构和物理性质的高通量研究
机译:GaAs / AlAs短周期超晶格限制的GaAs单量子阱异质结构中光激发载流子的复合寿命提高
机译:具有插入的薄alas势垒的调制掺杂alGaas / Gaas / alGaas量子阱中电子迁移率的大幅增加。