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【2h】

Low power non-volatile memory switching in monolayer-rich 2D WS2 and MoS2 devices

机译：单层富有的2D WS2和MOS2器件中的低功耗非易失性存储器切换

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Memristors characterized by non-volatile memory resistance switching are promising candidates for building brain inspired computing architectures. However, existing memristive devices are still far from the energy efficiency of petaflops per joule exhibited by biological neural networks. Therefore, to achieve the goal of ultra-low power operation, it is necessary to develop new materials for the active layer in memristors. Here, we show highly energy efficient memristive devices built from liquid-exfoliated 2D WS2 and MoS2 nanosheets, enriched in monolayers using a cascade centrifugation method. Lateral devices with electrochemically inert electrodes were built using the drop casting method. The devices show non-volatile resistive switching with a remarkable low energy consumption. This work contributes to the realization of energy efficient and high performance neuromorphic computing applications.
机译：由非易失性的记忆电阻切换为特征的椎间盘是建立脑的候选人的候选者。然而，现有的忆阻器件仍远离生物神经网络的每个焦耳的Petaflops的能效。因此，为了实现超低功率操作的目的，有必要在忆内函数中开发用于有源层的新材料。在这里，我们展示了由液体输出的2D WS2和MOS2纳米片构建的高度节能的忆内装置，使用级联离心方法在单层中富集。使用滴铸法建造具有电化学惰性电极的横向装置。该器件显示出非易失性的电阻切换，具有显着的低能量消耗。这项工作有助于实现节能和高性能的神经形态计算应用。

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