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机译:优化的势垒和缓冲层对GaN HEMT的可靠性和寄生效应的研究
Crivellaro Federico;
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机译:GaN缓冲器中的掺杂和陷阱型材工程最大化AlGaN / GaN HEMT EPI堆栈击穿电压
机译:GaN缓冲中的掺杂和陷阱轮廓工程,可最大程度地提高AlGaN / GaN HEMT EPI击穿电压
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