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【2h】

Photoresponse properties of BaSi2 epitaxial films grown on the tunnel junction for high-efficiency thin-film solar cells

机译：高效薄膜太阳能电池在隧道结上生长的BaSi2外延膜的光响应特性

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We have successfully grown 360-nm-thick undoped n-BaSi2 epitaxial layers on the n+-BaSi2/p+-Si(111) tunnel junction, by molecular beam epitaxy. The external quantum efficiency reached approximately 17.8% at 500 nm under a reverse bias voltage of 4 V at room temperature, the highest value ever reported for semiconducting silicides. The quantum efficiency was compared to 240-nm-thick undoped n-BaSi2 epitaxial layers on a p-Si(111) substrate.
机译：我们已经通过分子束外延成功地在n + -BaSi2 / p + -Si（111）隧道结上生长了360nm厚的未掺杂n-BaSi2外延层。在室温下，在4 V的反向偏置电压下，在500 nm处，外部量子效率达到了约17.8％，这是半导体硅化物有史以来的最高值。将量子效率与p-Si（111）衬底上240纳米厚的未掺杂n-BaSi2外延层进行了比较。

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