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A Review of Raman Thermography for Electronic and Opto-Electronic Device Measurement With Submicron Spatial and Nanosecond Temporal Resolution

机译：具有亚微米空间和纳秒级时间分辨率的电子和光电设备测量拉曼热成像技术的综述

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We review the Raman thermography technique, which has been developed to determine the temperature in and around the active area of semiconductor devices with submicron spatial and nanosecond temporal resolution. This is critical for the qualification of device technology, including for accelerated lifetime reliability testing and device design optimization. Its practical use is illustrated for GaN and GaAs-based high electron mobility transistors and opto-electronic devices. We also discuss how Raman thermography is used to validate device thermal models, as well as determining the thermal conductivity of materials relevant for electronic and opto-electronic devices.
机译：我们回顾了拉曼热成像技术，该技术已被开发出来，可以确定具有亚微米空间和纳秒级时间分辨率的半导体器件有效区域内和周围的温度。这对于认证设备技术至关重要，包括加速寿命可靠性测试和设备设计优化。说明了其在GaN和GaAs基高电子迁移率晶体管和光电器件中的实际应用。我们还将讨论如何使用拉曼热成像技术来验证设备的热模型，以及确定与电子和光电设备相关的材料的热导率。

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