Témavezeto: Gyulai József - SiO2 mátrixban Si, Pd-Pt és SiC, valamint SiC-ben gyémánt nanokristályokat állítottunk elő és minősítettünk. - Szén nanocsöveket Ar+ ionokkal besugározva, ponthibákat, kiemelkedő klasztereket és szuperstrukturákat figyeltünk meg. - Ellipszometriával mértük a szilíciumkarbidban ionimplantációval létrejövő roncsoltságot. - Az ionsugaras kutatásaink alapján eljárást fejlesztettünk ki, amellyel külön-külön detektálható a Si-, valamint a C-alrács károsodása. - Ezzel sikerült megbecsülni a He ion c-tengelyi csatorna irányú és random irányú energiaveszteség arányát. - Optikai modelleket fejlesztettünk ferroelektromos anyagok mérésére, valamint továbbfejlesztettük a rácskárosodás ellipszometriai modelljét. - Extrém kis energiájú ionok folyamatainak kutatása a porlasztást alkalmazó felületvizsgáló módszerek kvantifikálását célozta: - új ionkeveredési mechanizmust javaslunk birétegekre - Molekula-dinamikai szimulációnkat kiterjesztettük több ion szukcesszív becsapódásának a vizsgálatára a Ti/Pt kettősrétegben. - Súrlódó beesésnél a szén porlasztási sebessége nagyobb, mint a fémeké. - Kerámiák nanoszerkezetének módosítása témában kiemelkedő eredményünknek tartjuk, hogy a világon elsőként nekünk sikerült előállítani karbon nanocső - szilícium-nitrid kompozitot, amelyben a nanocsövek nem degradálódnak a szinterelés során. | Principal investigator: Gyulai József - Nanocrystals were prepared and characterized: Si in SiO2, Pd-Pt, SiC in Si, and diamond in SiC. - Argon ion irradiation of carbon nanotubes resulted in point defects, clusters and superstructures, as detected with atomic resolution AFM. - Ellipsometry proved itself as efficient method to study radiation damage in SiC. - New version of ion beam analysis applied to implanted SiC allowed us to detect the damage of the carbon and silicon sublattice separately - With defects as markers, ratio of channeled to random stopping power of He ions could be deduced. - Optical model was developed for ellipsometry allowing also characterization of ferroelectric (high-k) materials. - Modeling and experimental studies of damaging and sputtering processes at impact of extreme low-energy resulted in better quantification of surface analysis techniques (Auger profiling): - MC simulation of bilayers led us to a new model of ion beam mixing. - MD simulations were extended to multiple ion impact on Ti/Pt bilayers. - Sputtering coefficient of carbon was found (and modeled) to be higher than that of a metal for sputtering at glancing angle incidence. - Nanostructure of ceramic materials, firstly, of Si3N4, resulted in the first Si3N4-carbon nanotube nanocomposite, where the nanotubes will not degrade during high-temperature sintering.
展开▼
