机译:1 MeV电子辐照在3C和6H SiC外延层中的硅空位导致的正电子An没
机译:通过正电子湮没光谱研究的电子/中子辐照钨处空位簇的氘俘获
机译:正电子ni没光谱研究碳化硅中的空位团簇:结合实验和电子结构计算
机译:通过正电子湮没光谱研究电子照射的6H碳化硅焊接的空缺
机译:飞行时间正电子an灭诱导的俄歇电子能谱研究了真空退火下6H-碳化硅的表面改性。
机译:不同化学计量比偏差下CdTe:Cl和CdZnTe:Ge的空位相关缺陷的正电子spec没光谱
机译:通过正电子湮没光谱研究电子辐照6H碳化硅的空位
机译:用于测量6H碳化硅中氧原子缺陷的三维正电子湮没动量测量技术