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首页> 外文期刊>Physica status solidi, B. Basic research >Positron Annihilation Due to Silicon Vacancies in 3C and 6H SiC Epitaxial Layers Induced by 1 MeV Electron Irradiation
【24h】

Positron Annihilation Due to Silicon Vacancies in 3C and 6H SiC Epitaxial Layers Induced by 1 MeV Electron Irradiation

机译：1 MeV电子辐照在3C和6H SiC外延层中的硅空位导致的正电子An没

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Positron annihilation spectroscopy is extensively used to study vacancy-type defects in semiconductors [1]. To characterize defects in SiC by this technique, it is necessary to know annihilation parameters for various kinds of vacancies, e.g., silicon and carbon vacancies, divacancies and so on. The lifetime of positrons trapped at isolated silicon vacancies in 3D SiC was determined to be ≈190 ps previously [2] from the direct comparison of annealing behavior of positron lifetime and electron spin resonance (ESR) T1 signal, which is related to isolated silicon vacancies [3, 4].
机译：正电子an没光谱法被广泛用于研究半导体中的空位型缺陷[1]。为了用这种技术表征SiC中的缺陷，必须知道各种空位的，灭参数，例如，硅和碳空位，空位等。通过直接比较正电子寿命和电子自旋共振（ESR）T1信号的退火行为，确定与3D SiC隔离的硅空位中捕获的正电子的寿命先前约为190 ps [2]，这与隔离的硅空位有关[3，4]。

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