公开/公告号CN109164678A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-08
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201810927353.4
发明设计人 孟鸿林;
申请日2018-08-15
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人栾美洁
地址 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区高斯路568号
入库时间 2024-02-19 06:47:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-28
授权
授权
2019-02-01
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/20 申请日:20180815
实质审查的生效
2019-01-08
公开
公开
机译: 形成光刻胶掩模以改善高深宽比离子注入的方法
机译: 在纯还原等离子体中去除高深宽比光刻胶的方法
机译: 在纯还原等离子体中去除高深宽比光刻胶的方法