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抗干扰性能的电化学晶体管传感器及其抗干扰方法、应用

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本发明涉及提高电化学晶体管传感器的抗干扰性能的方法，所述电化学晶体管传感器包括源极、漏极和栅极，源极、漏极之间为该电化学晶体管传感器沟道，其特征在于在沟道上设有Nafion薄膜保护层和/或聚糖薄膜保护层，或者在栅极外面套设下端带有微孔陶瓷的砂芯玻璃管，将沟道或栅极分离以屏蔽电化学晶体管传感器对干扰物质的响应。本发明涉及的电化学晶体管传感器的优化方法具有在不影响器件对待测物质的响应的同时屏蔽掉干扰物质的响应的特点。

著录项

公开/公告号CN109270148A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-25

原文格式PDF
申请/专利权人湖北大学;
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申请/专利号CN201811209485.X
发明设计人常钢;周扬;何云斌;何汉平;蔡志伟;马明宇;陶甜;
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申请日2018-10-17
分类号G01N27/414(20060101);
代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;
代理人张秋燕
地址 430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
入库时间 2024-02-19 07:15:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-02-26

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/414 申请日:20181017

实质审查的生效
2019-01-25

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