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用于形成垂直通道器件的方法、以及垂直通道器件

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摘要

依据本发明概念的一个方面，提供一种形成垂直通道器件的方法，该方法包括：在基材(101)上形成包括第一柱部分(110)、第二柱部分(120)和第三柱部分(130)的垂直半导体柱(108)，其中第二柱部分(120)设置在第一柱部分(110)和第三柱部分(130)之间，并且其中第二柱部分(120)由与形成第一柱部分(110)的上部(110a)的材料不同、且与形成第三柱部分(130)的下部(130a)的材料不同的材料形成，在第一柱部分(110)的上部(110a)的周向表面上以及第三柱部分(130)的下部(130a)的周向表面(130aa)上形成间隔层(112、132)，以及形成嵌入第二柱部分(120)和所述上部(110a)和所述下部(130a)的栅极堆叠体(150)，其中间隔层(112、132)形成了栅极堆叠体(150)与所述上部(110a)之间以及栅极堆叠体(150)与所述下部(130a)之间的间隔部。

著录项

  • 公开/公告号CN109473356A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IMEC 非营利协会;

    申请/专利号CN201811036797.5

  • 发明设计人 A·维洛索;G·埃内曼;N·科拉尔特;E·罗西尔;

    申请日2018-09-06

  • 分类号H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人蔡文清;郭辉

  • 地址 比利时勒芬

  • 入库时间 2024-02-19 07:49:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-15

    公开

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