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一种高温化学气相沉积法连续合成单壁碳纳米管的方法

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本发明属于化学合成领域，涉及一种高温化学气相沉积法连续合成单壁碳纳米管的方法，具体步骤为：在刚玉管反应器中，通入惰性气体，升温到1300-1500℃；通入催化剂、碳源和添加剂的混合溶液，通入噻酚、惰性气体；在刚玉管反应器出口收集产物；并平铺于刚玉舟中，置入刚玉管反应器，进行热处理，以10℃/min的速率使炉温升至400-500℃并保温1小时；将刚玉管两端封闭并通入惰性气体，以10℃/min的速率将炉温升温至800℃-900℃保温1h；通氩气降至室温，产物与稀盐酸反应，再次过滤、洗涤、干燥。本发明原料简单易得，成本低廉，对环境无污染，无明显易燃危险原料，产物易于收集，收率高，设备简单，可连续化操作，适于大规模生产。

著录项

公开/公告号CN101891184B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-25

原文格式PDF
申请/专利权人同济大学;
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申请/专利号CN201010228368.5
发明设计人马杰;
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申请日2010-07-12
分类号
代理机构上海正旦专利代理有限公司;
代理人张磊
地址 200092 上海市四平路1239号
入库时间 2022-08-23 09:10:59

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-09-07

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 31/02 授权公告日:20120725 终止日期:20150712 申请日:20100712

专利权的终止
2012-07-25

授权

授权
2011-01-05

实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 31/02 申请日:20100712

实质审查的生效
2010-11-24

公开

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1. 一种高温化学气相沉积法连续合成单壁碳纳米管的方法 [P] . 中国专利： CN101891184B . 2012.07.25
2. 一种高效提纯化学气相沉积法制备的单壁碳纳米管的方法 [P] . 中国专利： CN102398901B . 2013.07.03
3. Continuous growth of single-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition [P] . 美国专利： US8840724B2 . 2014-09-23

机译：使用化学气相沉积法连续生长单壁碳纳米管
4. Continuous Growth Of Single-Wall Carbon Nanotubes Using Chemical Vapor Deposition [P] . 美国专利： US2009013931A1 . 2009-01-15

机译：使用化学气相沉积法连续生长单壁碳纳米管
5. Continuous growth of single-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition [P] . 美国专利： US7431965B2 . 2008-10-07

机译：使用化学气相沉积法连续生长单壁碳纳米管