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一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构

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本发明涉及一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构，包括基底和B4C薄膜其特征在于，所述基底和B4C薄膜间设置有金属层；所述的金属层的材料为活泼金属；该活泼金属优选为Ti、Ni、Al、Mg或MgAl合金中的一种；所述金属层的厚度小于100nm。与现有技术相比，本发明大大增强了B4C薄膜与铝基底间的黏附效果；解决B4C薄膜从铝基底上脱落的问题，具有制备简单，膜系结构简单，工艺成熟，可制备性强等优点。

著录项

公开/公告号CN109852927A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-06-07

原文格式PDF
申请/专利权人同济大学;
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申请/专利号CN201910180279.9
发明设计人齐润泽;张众;王占山;冯秦旭;
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申请日2019-03-11
分类号C23C14/06(20060101);C23C14/16(20060101);C23C14/35(20060101);
代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;
代理人赵志远
地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号
入库时间 2024-02-19 10:10:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-07-02

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/06 申请日:20190311

实质审查的生效
2019-06-07

公开

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