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一种采用后退火处理的共溅射制备MWCNT@XY的方法及MWCNT@XY

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摘要

本发明涉及一种采用后退火处理的共溅射制备MWCNT@XY的方法及MWCNT@XY。所述方法包括如下步骤：S1：在玻碳载体上生长独立、垂直排列的MWCNT阵列；S2：在MWCNT阵列上共溅射沉积得到涂层X’和Y’；S3：对S2共溅射得到的MWCNT阵列进行后退火处理即得所述MWCNT@XY。本发明通过共溅射在MWCNT阵列上沉积X’和Y’涂层，然后利用后退火处理，使得X’和Y’两种材料迁移重结晶并混合，最终得到的MWCNT@XY涂层均匀，可广泛应用于电催化、电分析、超级电容器和电池等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN109913851A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 肇庆市华师大光电产业研究院;

    申请/专利号CN201910190140.2

  • 发明设计人 埃泽尔·马丁·阿金诺古;薛亚飞;迈克尔·吉尔森;

    申请日2019-03-13

  • 分类号C23C16/26(20060101);C23C14/34(20060101);C23C14/18(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/08(20060101);C23C28/04(20060101);C23C28/00(20060101);

  • 代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人任重

  • 地址 526040 广东省肇庆市高新区北江大道18号富民大厦3-304

  • 入库时间 2024-02-19 10:51:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/26 申请日:20190313

    实质审查的生效

  • 2019-06-21

    公开

    公开

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