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高速、低功率自旋轨道矩(SOT)辅助的自旋转移矩磁随机访问存储器(STT-MRAM)位单元阵列

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描述了一种包括若干位单元的磁随机访问存储器(MRAM)阵列。位单元中的每个位单元包括垂直型磁隧道结(pMTJ)—具有垂直各向异性的磁隧道结，其包括参考层、支撑参考层的势垒层、和支撑势垒层的自由层。自旋霍尔导电材料层支撑自由层。驱动器可操作为设置多个位单元中的至少一个位单元的状态，驱动器被配置为沿自旋霍尔导电材料驱动电流，以经由自旋霍尔效应生成流过pMTJ的自旋轨道转移SOT电流，并且同时驱动另一电流通过pMTJ和自旋霍尔导电材料层的一部分，该另一电流利用参考层生成通过pMTJ的自旋转移矩STT电流。

著录项

公开/公告号CN109643567A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-16

原文格式PDF
申请/专利权人高通股份有限公司;
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申请/专利号CN201780051818.8
发明设计人 J·J·坎;朴禅度;王培远;金晟烈;康相赫;
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申请日2017-07-25
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 11:23:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-05-10

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/16 申请日:20170725

实质审查的生效
2019-04-16

公开

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