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表征用在电子器件中的材料的方法及半导体器件

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本公开涉及一种表征用在电子器件中的材料的方法及半导体器件。描述了一种表征用在半导体器件中的材料的方法以及使用该材料的半导体器件。该材料具有晶胞和晶体结构。该方法包括仅使用晶胞的正向传导模式来确定材料的品质因数(FOM)。FOM是电阻率乘以平均自由程。FOM可以用于确定材料用在半导体器件中的适用性。

著录项

公开/公告号CN110021385A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-07-16

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;
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申请/专利号CN201811256113.2
发明设计人 G.海德;H.西姆卡;C.伯温;
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申请日2018-10-26
分类号G16C20/70(20190101);G16C60/00(20190101);H01L23/532(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人张波
地址韩国京畿道
入库时间 2024-02-19 11:50:47

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2019-07-16

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1. 表征用在电子器件中的材料的方法及半导体器件 [P] . 中国专利： CN110021385A . 2019-07-16
2. 作为在半导体器件中的层内和层间绝缘体的超低介电常数材料及其制造方法、以及包含该材料的电子器件 [P] . 中国专利： CN1479804A . 2004-03-03
3. Ultra-low dielectric constant materials as intralevel or interlevel dielectrics in a semiconductor device, a method of manufacturing the same, and electronic devices comprising the same [P] . 日本专利： JP2004515057A . 2004-05-20

机译：作为半导体器件中的层间或层间电介质的超低介电常数材料，其制造方法以及包括该材料的电子器件
4. Electronic devices created thereby and improved method for producing ultra low dielectric constant materials as intralevel or interlevel dielectrics in semiconductor devices in [P] . 日本专利： JP2007536733A . 2007-12-13

机译：由此产生的电子器件以及用于制造超低介电常数材料作为半导体器件中的层内或层间电介质的改进方法。
5. AN ULTRALOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL AS AN INTRALEVEL OR INTERLEVEL DIELECTRIC IN A SEMICONDUCTOR DEVICE, A METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND AN ELECTRONIC DEVICE CONTAINING THE SAME [P] . 韩国专利： KR100586133B1 . 2006-06-07

机译：超低介电常数材料，作为半导体器件中的中间或中间介电体，其制造方法以及包含该介电常数的电子器件

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