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用于实现电容减小和令人满意的接触电阻的接触架构

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提供了具有复合电介质间隔体的固态组件以及用于制作所述固态组件的过程。在一些实施例中，所述复合电介质间隔体可以包括具有相互的界面的第一电介质层和第二电介质层。所述复合电介质间隔体可以将接触构件与导电互连构件隔开，从而相对于包括第一电介质层或第二电介质层之一的固态组件降低这种构件之间的电容。所述复合电介质间隔体可以允许在所述导电互连和沟槽接触构件之间保持界面的占用面积，所述沟槽接触构件具有与载流子掺杂外延层的界面，所述载流子掺杂外延层体现或者构成场效应晶体管的源极接触区或者漏极接触区。所述沟槽接触构件可以与所述导电互连构件形成另一界面，从而在其间提供令人满意的接触电阻。

著录项

公开/公告号CN110024104A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-07-16

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN201680091257.X
发明设计人 R·米恩德鲁;P·A·帕特尔;T·T·特勒格尔;S·S·廖;
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申请日2016-12-30
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人林金朝
地址美国加利福尼亚
入库时间 2024-02-19 12:13:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-02-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20161230

实质审查的生效
2019-07-16

公开

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1. 用于实现电容减小和令人满意的接触电阻的接触架构 [P] . 中国专利： CN110024104A . 2019-07-16
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3. CONTACT ARCHITECTURE FOR CAPACITANCE REDUCTION AND SATISFACTORY CONTACT RESISTANCE [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3920212A1 . 2021-12-08

机译：用于电容减小和令人满意的接触电阻的接触架构
4. CONTACT ARCHITECTURE FOR CAPACITANCE REDUCTION AND SATISFACTORY CONTACT RESISTANCE [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3920212A4 . 2021-12-08

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