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一种改善结终端延伸结构三极管可靠性的器件结构及其制造方法

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摘要

本发明涉及一种改善结终端延伸结构三极管可靠性的器件结构及其制造方法，属于集成电路或分立器件制造技术领域。包括N+重掺杂衬底，N+重掺杂衬底上设有高阻层；高阻层上设有P‑型终端结构，P‑型终端结构内设有基区有源区，基区有源区内部设有N+型发射极，高阻层上还设有N+型，N+型、基区有源区和P‑型终端结构上分别设有第一屏蔽层，第一屏蔽层上开设N+型引线孔、基区有源区引线孔和P‑型终端结构引线孔，基区有源区引线孔和P‑型终端结构引线孔上分别设有连接层，N+型引线孔上设有第二屏蔽层，连接层与第二屏蔽层上设有保护层，保护层上设有PAD区。本申请保证在超结温下结终端三极管的击穿不发生退化，提高了芯片的可靠性和合封器件的安全性。

著录项

  • 公开/公告号CN110010677A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江阴新顺微电子有限公司;

    申请/专利号CN201910337740.7

  • 发明设计人 许柏松;吴丹;沈晓东;王金富;徐永斌;叶新民;

    申请日2019-04-25

  • 分类号

  • 代理机构北京中济纬天专利代理有限公司;

  • 代理人赵海波

  • 地址 214400 江苏省无锡市江阴市高新区长山大道78号

  • 入库时间 2024-02-19 12:18:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/735 申请日:20190425

    实质审查的生效

  • 2019-07-12

    公开

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