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一种低结电容特性太赫兹肖特基二极管及其制作方法

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本发明公开了一种低结电容特性太赫兹肖特基二极管及其制作方法。本发明所提供的肖特基接触金属与材料之间形成的肖特基结对二维电子气有耗尽作用，且刻蚀的半通孔刻蚀至沟道层，并刻蚀断沟道层的二维电子气，通过空气桥连通第一凸面上的肖特基接触金属与第二凸面上的欧姆接触金属，二维电子气与肖特基接触金属之间的正对面积很小，电容非常小，相比肖特基接触金属完全覆盖在材料表面的器件电容小很多，且不会发生电阻的改变，能够获得更高的截止频率；采用该低结电容特性太赫兹肖特基二极管制成的混频倍频器能实现太赫兹波段的频谱接收检测功能，用于优良的太赫兹源及太赫兹接收器。

著录项

公开/公告号CN110137246A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-16

原文格式PDF
申请/专利权人中山大学;
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申请/专利号CN201910480197.6
发明设计人张佰君;杨隆坤;王玲龙;
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申请日2019-06-04
分类号
代理机构北京高沃律师事务所;
代理人程华
地址 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号
入库时间 2024-02-19 14:03:10

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-09-10

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20190604

实质审查的生效
2019-08-16

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