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校正用于5nm和20nm之间波长范围的反射光学元件的方法

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本发明涉及一种校正用于从5nm到20nm的波长范围的反射光学元件的方法，该反射光学元件包括基板上的多层系统，该多层系统包括由在极紫外波长范围中的波长处具有不同折射率实部的至少两个交替布置的不同材料构成的层。所述方法包括以下步骤：测量所述多层系统的表面之上的反射率分布；将所测得的反射率分布与在多层系统的表面之上的标称反射率分布相比较，并且确定至少一个部分表面，其具有的测得的反射率大于标称反射率；以及用离子或电子辐射至少一个部分表面。

著录项

公开/公告号CN110352365A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-18

原文格式PDF
申请/专利权人卡尔蔡司SMT有限责任公司;
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申请/专利号CN201880014619.4
发明设计人 J.卡尔登;
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申请日2018-02-27
分类号G02B1/12(20060101);G02B5/08(20060101);G03F7/20(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人王蕊瑞
地址德国上科亨
入库时间 2024-02-19 15:25:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-03-20

实质审查的生效 IPC(主分类):G02B1/12 申请日:20180227

实质审查的生效
2019-10-18

公开

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