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基于二维电子气调控背栅的二维材料晶体管、制法和应用

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本发明公开了一种基于二维电子气调控背栅的二维材料晶体管、制法和应用。所述基于二维电子气调控背栅的二维材料晶体管包括：异质结，其包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结中形成有二维电子气或二维空穴气；以及形成于所述异质结上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极分布在第二半导体上且彼此间隔设置，同时，所述源极与漏极之间经二维材料电连接，所述二维材料用作所述晶体管的导通沟道，所述栅极与所述二维电子气或二维空穴气电连接。本发明提供的基于二维电子气调控背栅的二维材料晶体管，利用二维电子气的电子高迁移率特性，实现可调制背栅的二维材料晶体管。

著录项

公开/公告号CN110504297A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-26

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
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申请/专利号CN201810476731.1
发明设计人于国浩;丁晓煜;宋亮;张晓东;蔡勇;张宝顺;
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申请日2018-05-17
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/16(20060101);H01L29/24(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);
代理机构32256 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人王锋;赵世发
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
入库时间 2024-02-19 15:44:13

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-20

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20180517

实质审查的生效
2019-11-26

公开

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