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用于处理宽带隙半导体晶片的方法以及宽带隙半导体晶片

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提出了一种用于处理宽带隙半导体晶片的方法（100）。该方法（100）包括在宽带隙半导体晶片的背侧处沉积（110）非单晶支撑层（320）。该方法（100）进一步包括在宽带隙半导体晶片的前侧处沉积（120）外延层。沿着拆分区域拆分（130）宽带隙半导体晶片，以获得包括至少一部分外延层的器件晶片，和包括非单晶支撑层（320）的剩余晶片。

著录项

公开/公告号CN110491778A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-22

原文格式PDF
申请/专利权人英飞凌科技股份有限公司;
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申请/专利号CN201910397969.X
发明设计人 F.J.桑托斯罗德里格斯;G.德尼夫尔;T.F.W.赫希鲍尔;M.胡贝尔;W.莱纳特;R.鲁普;H-J.舒尔策;
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申请日2019-05-14
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人周学斌
地址德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-15号
入库时间 2024-02-19 16:49:45

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法律状态
2019-11-22

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