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应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层

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本发明公开了一种应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层，位于晶格失配太阳能电池的晶格失配外延材料和衬底(或与衬底晶格常数相同的外延层)之间，由多套具有不同反射波段的复合DBR叠置而成，每套复合DBR由多对叠置在一起的DBR对构成，且相邻DBR对之间的晶格常数呈梯度变化，每对DBR对包含两层半导体材料层，该两层半导体材料层的折射率不同但晶格常数相同或存在能够达到应变补偿的失配。本发明将具有宽谱反射的复合DBR有机融合入晶格渐变缓冲层中，既可以大幅降低晶格失配外延材料生长引入的大量位错等缺陷密度，又可以充分发挥反射镜的作用，同时缩减工艺步骤、生长时长和原材料损耗，有利于降低成本。

著录项

公开/公告号CN110491957A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-22

原文格式PDF
申请/专利权人中山德华芯片技术有限公司;
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申请/专利号CN201910677591.9
发明设计人刘建庆;高熙隆;文宏;刘雪珍;刘恒昌;
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申请日2019-07-25
分类号
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人冯炳辉
地址 528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层
入库时间 2024-02-19 16:49:45

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0304 申请日:20190725

实质审查的生效
2019-11-22

公开

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