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具有改进的硅化物厚度均匀性的金属氧化物半导体场效应晶体管集成电路和其制造方法

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本发明涉及具有改进的硅化物厚度均匀性的金属氧化物半导体场效应晶体管集成电路和其制造方法，提供一种具有均匀厚度且实质上无“点状”NiSi型的孔的硅化物层的MOSF ET器件，和用于其制造的方法。一种这样的方法涉及同时在半导体基板的主动和开放区域上方沉积一金属层，例如镍。通过热预算决定金属的部分或全部转移至基板中的深度。采用快速热退火过程以在主动和开放区域两者中都产生均匀厚度的NiSi层。一旦得到所需厚度的NiSi层，从基板表面移除多余金属。

著录项

公开/公告号CN102969277A

专利类型发明专利
公开/公告日2013-03-13

原文格式PDF
申请/专利权人格罗方德半导体公司;
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申请/专利号CN201210315689.8
发明设计人 C·菲兹;S·威德曼;S·弗莱克豪斯基;P·巴尔斯;R·吉尔蒂格凯特;
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申请日2012-08-30
分类号H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/283;H01L29/78;H01L29/417;
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2024-02-19 17:37:56

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-04-08

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/8238 申请公布日:20130313 申请日:20120830

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-04-10

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8238 申请日:20120830

实质审查的生效
2013-03-13

公开

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